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Figura 5.3: Comparação entre as CEP’s do estado eletrônico 2 1 Σ + .
incluir parte da energia de correlação dinâmica. Uma análise semelhante para os outros
estados singletos de simetria Σ + , que são os estados eletrônicos 2 1 Σ + e 3 1 Σ + , pode ser
feita, conforme mostrado respectivamente nas Figuras 5.3 e 5.4.
Novamente um ótimo acordo é encontrado entre a CEP MCQDPT obtida por
nós e a obtida por Schmidt-Mink et al. para o estado 2 1 Σ + , e uma grande discrepância é
observada mais uma vez para o cálculo SA-CASSCF. Além disto, a energia de dissociação
MCQDPT encontrada para este estado é um pouco maior do que a obtida pelo método
SCF/valence CI, como pode ser verificado na Tabela D.1.
Para o estado 3 1 Σ + , a energia de dissociação MCQDPT é ligeiramente menor do
que a obtida por Schmidt-Mink et al.. Um ótimo acordo é encontrado para as curvas de
energia potencial obtidas com os métodos MCQDPT e o SCF/valence CI e uma grande
discrepância é observada para a curva SA-CASSCF com relação as outras, além da grande
diferença para a energia de dissociação, nítida na Figura 5.4.
Na seqüência, apresentamos na Figura 5.5 uma comparação entre as diferentes
curvas de energia potencial do estado eletrônico 1 1 Π. Diferentemente do encontrado para os
estados 1 Σ + , um desvio apreciável é observado para o estado eletrônico 1 1 Π para distâncias
interatômicas pequenas e médias entre os resultados MCQDPT e os obtidos pelo método
SCF/valence CI, como pode ser notado na Tabela D.1. Uma diferença entre os pontos