Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

mais 10 minutos. Na sequência as lâminas foram lavadas com água deionizada e secas com
jato de nitrogênio ultra-puro.
Implantação iônica e formação das regiões de fonte e dreno
Apróxima etapa consistiu na implantação iônica de 31 P + nas regiões corroídas. Esta, foi
executada utilizando-se o implantador de íons GA-4204 com um feixe de íons com energia
de 80 keV e uma dose de 7 x 10 15 íons.cm −2 (Figura 2.8 (f)). Durante esta implantação,
as lâminas foram inclinadas em 7 o , de modo a evitar-se os efeitos de canalização. Após,
as lâminas foram novamente submetidas à limpeza RCA completa para a remoção de
possíveis impurezas sobre o substrato e parcial remoção do óxido já existente.
Recozimento e Oxidação Úmida
Como a implantação de íons nas lâminas de Si causa alguns defeitos na sua rede
cristalina, um processo de recozimento térmico para a reconstrução de tais regiões foi
necessário. Em adição a este, as lâminas foram conjuntamente oxidadas com vapor da
água (Figura 2.8(g)). O propósito desta oxidação foi aumentar a espessura do óxido de
isolação entre os dispositivos, evitando-se assim possíveis efeitos de ruptura durante as
medidas elétricas. Na Tabela 2.2 são apresentadas as condiçõesnoqualoprocessode
recozimento e oxidação úmida das lâminas foi conduzido.
As lâminas foram primeiramente submetidas a um fluxo de N2, que teve a finalidade de
limpar o forno e eliminar possíveis contaminações que pudessem existir no ambiente du-
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