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com baixa densidade. Além disso, esta também garantiu a ausência de qualquer espécie de N2 utilizado na etapa anterior, que poderia estar preso na interface óxido/semicondutor. Em seguida, realizou-se a oxidação úmida propriamente dita. Para tanto, utilizou-se um sistema borbulhador de O2/H2O. Tal sistema consiste em utilizar um jato de O2 para empurrar as moléculas de H2O vaporizadas para dentro do forno sob as lâminas. Esta foi conduzida com uma taxa de 63 gotas de água por minuto. Por fim, o sistema borbulhador foi desligado e ativou-se um fluxo de N2. Terminado a oxidação, a espessura do óxido formado foi determinada utilizando-se um interferômetro. Litografia e definição das regiões de fonte e dreno Seguidamente, com o intuito de formar-se as áreas para a implantação iônica de 31 P + e as conseguintes regiõesdefonteedreno,realizou-seoprimeirodosseteprocessosprevistos de fotolitografia (Figura 2.8 (c) e (d)). Para tanto, cerca de 7 gotas da fotoresina positiva AZ 1350 J foram aplicadas sobre a superfície das lâminas. A aplicação desta foi realizada em sala limpa (classe 100) com umidade relativa controlada em torno de 50 %. Éimpor- tante lembrar que a umidade neste caso desempenha um papel importante na aderência da fotoresina sobre o substrato, uma vez que umidades muito altas, isto é, maior do que 60%, não permitem com que o polímero tenha uma boa fixação neste. Além desta, todas as etapas seguintes foram conduzidas em sala limpa classe 100 com luz amarela devido a sensibilidade da fotoresina àluzvisível. Posteriormente, as lâminas com a fotoresina foram levadas até um spinner (marca Headway Research Inc.) e conseqüentemente rotacionadas por 40 segundos a 7000 rpm. Esta última etapa é essencial pois permite uma melhor dis- 75
tribuição do polímero fotosensível sobre o substrato. Após este procedimento, as lâminas foram submetidas a um processo de pré-cura durante 30 minutos em uma estufa condicionada à90 o C. Para o processo de fotogravação, a primeira das sete máscaras projetadas e contendo os respectivos padrões, foi alinhada ópticamente através da fotoalinhadora Karl Suss MJB 3 com as lâminas de Si (uma a uma) contendo a fotoresina, e em seguida, ambas foram colocadas em contato e expostas a luz com comprimento de onda fixo de 405 nm durante 19 segundos. A intensidade da lâmpada de Hg neste instante foi ajustada para 9 mW.cm −2 . Um ponto importante a ser considerado neste momento é o fato da fotoresina AZ 1350 J ser do tipo positiva, assim quando exposta à luz branca as regiões escuras da máscara não permitiram com que esta ultrapassasse, não sensibilizando desta forma aque- las regiões, o mesmo no entanto não éválido para as regiões transparentes da máscara, onde através destas a luz conseguiu ultrapassar e desta forma sensibilizar a fotoresina, isto é, promover o rompimento das ligações nas cadeias poliméricas e torná-las assim menores e mais solúveis. Em seguida, as lâminas foram submetidas ao processo de revelação, neste as regiões da resina que foram expostas a luz UV foram removidas. O solvente utilizado como revelador foi o AZ 312 MIF. Este foi diluído em água em numa proporção de 1:1. O tempo total de remoção das áreas expostas foi de cerca de 30 segundos. A ratificação desta etapa de revelação foi realizada observando-se as lâminas em um microscópio óptico. Finalizando esta etapa, as lâminas foram colocadas em estufa condicionada a 118 o C por 30 minutos com o intuito de evaporar-se o solvente da fotoresina e fixar-se ainda mais as partes não reveladas da mesma sobre o substrato de SiO2. A finalidade desta última está relacionada com o processo de corrosão do óxido das áreas abertas durante a revelação. 76
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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