Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

com baixa densidade. Além disso, esta também garantiu a ausência de qualquer espécie de
N2 utilizado na etapa anterior, que poderia estar preso na interface óxido/semicondutor.
Em seguida, realizou-se a oxidação úmida propriamente dita. Para tanto, utilizou-se um
sistema borbulhador de O2/H2O. Tal sistema consiste em utilizar um jato de O2 para
empurrar as moléculas de H2O vaporizadas para dentro do forno sob as lâminas. Esta foi
conduzida com uma taxa de 63 gotas de água por minuto. Por fim, o sistema borbulhador
foi desligado e ativou-se um fluxo de N2. Terminado a oxidação, a espessura do óxido
formado foi determinada utilizando-se um interferômetro.
Litografia e definição das regiões de fonte e dreno
Seguidamente, com o intuito de formar-se as áreas para a implantação iônica de 31 P + e
as conseguintes regiõesdefonteedreno,realizou-seoprimeirodosseteprocessosprevistos
de fotolitografia (Figura 2.8 (c) e (d)). Para tanto, cerca de 7 gotas da fotoresina positiva
AZ 1350 J foram aplicadas sobre a superfície das lâminas. A aplicação desta foi realizada
em sala limpa (classe 100) com umidade relativa controlada em torno de 50 %. Éimpor-
tante lembrar que a umidade neste caso desempenha um papel importante na aderência
da fotoresina sobre o substrato, uma vez que umidades muito altas, isto é, maior do que
60%, não permitem com que o polímero tenha uma boa fixação neste. Além desta, todas
as etapas seguintes foram conduzidas em sala limpa classe 100 com luz amarela devido a
sensibilidade da fotoresina àluzvisível. Posteriormente, as lâminas com a fotoresina foram
levadas até um spinner (marca Headway Research Inc.) e conseqüentemente rotacionadas
por 40 segundos a 7000 rpm. Esta última etapa é essencial pois permite uma melhor dis-
75