Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...
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do substrato. Desta maneira, a implantação foi realizada com uma dosagem <strong>de</strong> 5 x 10 13<br />
íons.cm −2 e energia <strong>de</strong> 65 keV.<br />
Oxidação e formação do óxido <strong>de</strong> campo<br />
Na etapa seguinte, as lâminas foram novamente submetidas ao processo <strong>de</strong> limpeza<br />
RCA e em seguida conduzidas para o processo <strong>de</strong> oxidação térmica em um forno conven-<br />
cional (Figura 2.8(b)). Esta etapa foi realizada com o intuito <strong>de</strong> isolar os dispositivos entre<br />
si e formar um anteparo para os processos vindouros, como por exemplo, a implantação<br />
iônica para a formação das regiões <strong>de</strong> fonte e dreno. Tal processo, foi executado realizando-<br />
se a oxidação úmida. A disposição das lâminas <strong>de</strong>ntro do tubo cilíndrico <strong>de</strong> quartzo foi<br />
feita <strong>de</strong> modo que as mesmas ficassem face a face. As condições <strong>de</strong>sta são mostradas na<br />
Tabela 2.1.<br />
Tabela 2.1: Processo <strong>de</strong> oxidação úmida a 1000 o C<br />
Ambiente Tempo(min)<br />
N2<br />
5<br />
N2<br />
30<br />
O2<br />
10<br />
O2 +H2O 180<br />
N2<br />
10<br />
5<br />
N2<br />
Todas as etapas apresentadas na Tabela 2.1 que possuem N2 foram realizadas com a<br />
função <strong>de</strong> se promover uma reestruturação e/ou recozimento da estrutura cristalina do<br />
Si. Em seguida, realizou-se uma breve oxidação seca utilizando-se somente O2. Esta foi<br />
realizada com o intuito <strong>de</strong> se criar uma fina camada <strong>de</strong> óxido que serviu como proteção<br />
para a oxidação úmida seguinte, uma vez que o hidrogênio presente na água <strong>de</strong>ixa o óxido<br />
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