Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

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tem como funções, remover qualquer tipo de metal ainda remanescente na lâmina, assim como, neutralizar possíveis cargas negativas (OH − ) remanescentes nesta após a etapa anterior. Como esta solução também possui H2O2, da mesma forma que a anterior, ela causa também a formação de uma pequena camada de óxido no substrato, a qual então é parcialmente removida pelo HCl. Este processo de limpeza é parte fundamental no processo de microfabricação, uma vez que o mesmo possui a finalidade de retirar a maior quantidade possível de impurezas retidas nas lâminas. Isso é necessário para que durante o processo de oxidação da lâmina obtenha- se uma interface Si / SiO2 comummenornúmero possível de impurezas. Portanto, terminadas estas quatro etapas, é necessário remover o óxido não desejado formado durante as etapas III e IV. Desta forma, para eliminar tal camada, um processo também conhecido como ”dip”foi realizado. Tal processo consistiu em mergulhar por 30 segundos as lâminas na solução da etapa II para que todo aquele óxido formado nas etapas anteriores fosse removido. Implatação iônicaeajustedeVT Terminado a etapa inicial de limpeza, as lâminas foram submetidas ao processo de im- plantação iônica de 11 B + .Opropósito desta foi para aumentar a quantidade de dopantes na superfície das lâminas o que consecutivamente promove um ajuste nos valores de tensão limiar dos transistores. Mas além disto, este implante também buscou aumentar a con- centração de dopantes boro (dopante tipo p) nas lâminas, pois estes tendem a migrar para oóxido durante a oxidação térmica, resultando portanto num aumento de resistividade 73
do substrato. Desta maneira, a implantação foi realizada com uma dosagem de 5 x 10 13 íons.cm −2 e energia de 65 keV. Oxidação e formação do óxido de campo Na etapa seguinte, as lâminas foram novamente submetidas ao processo de limpeza RCA e em seguida conduzidas para o processo de oxidação térmica em um forno conven- cional (Figura 2.8(b)). Esta etapa foi realizada com o intuito de isolar os dispositivos entre si e formar um anteparo para os processos vindouros, como por exemplo, a implantação iônica para a formação das regiões de fonte e dreno. Tal processo, foi executado realizando- se a oxidação úmida. A disposição das lâminas dentro do tubo cilíndrico de quartzo foi feita de modo que as mesmas ficassem face a face. As condições desta são mostradas na Tabela 2.1. Tabela 2.1: Processo de oxidação úmida a 1000 o C Ambiente Tempo(min) N2 5 N2 30 O2 10 O2 +H2O 180 N2 10 5 N2 Todas as etapas apresentadas na Tabela 2.1 que possuem N2 foram realizadas com a função de se promover uma reestruturação e/ou recozimento da estrutura cristalina do Si. Em seguida, realizou-se uma breve oxidação seca utilizando-se somente O2. Esta foi realizada com o intuito de se criar uma fina camada de óxido que serviu como proteção para a oxidação úmida seguinte, uma vez que o hidrogênio presente na água deixa o óxido 74
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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