Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...
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tem como funções, remover qualquer tipo <strong>de</strong> metal ainda remanescente na lâmina, assim<br />
como, neutralizar possíveis cargas negativas (OH − ) remanescentes nesta após a etapa<br />
anterior. Como esta solução também possui H2O2, da mesma forma que a anterior, ela<br />
causa também a formação <strong>de</strong> uma pequena camada <strong>de</strong> óxido no substrato, a qual então é<br />
parcialmente removida pelo HCl.<br />
Este processo <strong>de</strong> limpeza é parte fundamental no processo <strong>de</strong> microfabricação, uma vez<br />
que o mesmo possui a finalida<strong>de</strong> <strong>de</strong> retirar a maior quantida<strong>de</strong> possível <strong>de</strong> impurezas retidas<br />
nas lâminas. Isso é necessário para que durante o processo <strong>de</strong> oxidação da lâmina obtenha-<br />
se uma interface Si / SiO2 comummenornúmero possível <strong>de</strong> impurezas. Portanto,<br />
terminadas estas quatro etapas, é necessário remover o óxido não <strong>de</strong>sejado formado durante<br />
as etapas III e IV. Desta forma, para eliminar tal camada, um processo também conhecido<br />
como ”dip”foi realizado. Tal processo consistiu em mergulhar por 30 segundos as lâminas<br />
na solução da etapa II para que todo aquele óxido formado nas etapas anteriores fosse<br />
removido.<br />
Implatação iônicaeajuste<strong>de</strong>VT<br />
Terminado a etapa inicial <strong>de</strong> limpeza, as lâminas foram submetidas ao processo <strong>de</strong> im-<br />
plantação iônica <strong>de</strong> 11 B + .Opropósito <strong>de</strong>sta foi para aumentar a quantida<strong>de</strong> <strong>de</strong> dopantes<br />
na superfície das lâminas o que consecutivamente promove um ajuste nos valores <strong>de</strong> tensão<br />
limiar dos transistores. Mas além disto, este implante também buscou aumentar a con-<br />
centração <strong>de</strong> dopantes boro (dopante tipo p) nas lâminas, pois estes ten<strong>de</strong>m a migrar para<br />
oóxido durante a oxidação térmica, resultando portanto num aumento <strong>de</strong> resistivida<strong>de</strong><br />
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