Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

gundo caso, como a lâmina permanece estática dentro da câmara, o material é depositado
com uma uniformidade também inferior ao material conseguido através do planetário. A
vantagem deste método está emsuasimplicidadeebaixocusto. Umafotodacâmara de
evaporação térmica utilizada no CCS é mostrada na Figura 2.7.
2.3 Procedimentos
2.3.1 Layout e fabricação de máscaras de litografia
Para que a fabricação dos respectivos ISFETs fosse possível, um jogo de 7 máscaras
de litografia configurados para a construção de tais dispositivos foi projetado. O layout
das máscaras foi desenhado em um programa CAD (Magic) de domínio público 63 . No
total, sete máscaras foram projetadas para a fabricação completa dos transistores e sua
configuração como sensores. A confecção destas foi realizada pela empresa America Mi-
crotronics, Inc 64 .Asmáscaras são todas de quartzo, sendo cinco delas de campo escuro e
duas de campo claro em função dos processos e fotoresinas utilizadas durante os processos.
2.3.2 Construção dos ISFETs
A construção dos respectivos ISFETs é mostrada através de uma ilustração esquemática
na Figura 2.8, a qual mostra de forma geral todas as etapas realizadas na fabricação dos
dispositivos. Como substrato de partida, lâminas de Si tipo p monocristalino com ori-
entação cristalográfica foram utilizadas (Figura 2.8(a)). Inicialmente, realizou-se
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