Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

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dele. Esta seleção é realizada por um campo magnético imposto no caminho dos íons, tal que, somente os íons com a relação carga/massa desejada possam passar. Os íons selecionados entram então num tubo acelerador, onde estes serão conduzidos com uma energia de implantação específica para a dosagem sobre o substrato. Dentro deste tubo acelerador existem diversas aberturas que garantem que o feixe está bem colimado. A pressão neste é mantida também abaixo de 10 −4 Pa para fins de evitar espalhamento dos íons por moléculas de gás. Ao atingirem a amostra, os íons são varridos sobre a superfície da lâmina utilizando pratos de deflexão eletrostática. Para se evitar a canalização de íons dentro do substrato, a lâmina é disposta no porta amostra com uma angulação de 7 o em relação ao feixe. Esta inclinação evita o efeito de canalização que ocorre na rede cristalina do Si, como exemplificado na Figura 2.6: Figura 2.6: Redes cristalinas das orientações , ), e rotação da e efeito da canalização dos íons. As interações dos íons dopantes com os átomos da superfície da amostra são dos tipos atômicas e eletrônicas, fazendo com que os íons percam sua energia e fiquem localizados 65
apenas em uma pequena profundidade da superfície do substrato. Esta última pode ser controlada ajustando a energia de aceleração dos íons. A dose de dopantes pode também ser controlada monitorando-se a corrente de íons durante a implantação. Este monitora- mento dos íons implantados pode ser efetuado em tempo real observando-se no monitor as curvas gaussianas do perfil de implantação. A profundidade de implantação dos dopantes (Xj) neste caso, foi medida utilizando-se um equipamento Philtec 2015 Sectioner da em- presa Philtec Instruments Company. 2.2.4 Metalização A metalização éaúltima etapa na fabricação de um transistor. A finalidade desta é a formação de regiõesdecontatoelétrico para os terminais de fonte e dreno, assim como para o eletrodo de porta. Usualmente, o metal mais empregado nesta éoalumínio, o qual possui em relação aos demais bons condutores como Cu, Ag e Au, um baixo ponto de fusão (660 o C), além ainda de apresentar uma baixa resistividade (cerca de 2,7 µΩ.cm) e boa aderência sobre o SiO2 23 . Tipos de Metalização Adeposição de alumínio sobre um substrato pode ser realizada tanto por métodos físicos como PVD (Physical-Vapor Deposition), assim como por químicos através de CVD (Chemical-Vapor Deposition). Este último, consiste em uma reação em fase gasosa entre duas ou mais substâncias das quais o metal a ser depositado sofre redução e consequente- mente é depositado sobre o substrato. Entre as vantagens deste método, estãooseu 66
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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4. CONCLUSÕES • A configuração
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nanoestruturas de Ag e Au, nos quai
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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