Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

dele. Esta seleção é realizada por um campo magnético imposto no caminho dos íons,
tal que, somente os íons com a relação carga/massa desejada possam passar. Os íons
selecionados entram então num tubo acelerador, onde estes serão conduzidos com uma
energia de implantação específica para a dosagem sobre o substrato. Dentro deste tubo
acelerador existem diversas aberturas que garantem que o feixe está bem colimado. A
pressão neste é mantida também abaixo de 10 −4 Pa para fins de evitar espalhamento dos
íons por moléculas de gás. Ao atingirem a amostra, os íons são varridos sobre a superfície
da lâmina utilizando pratos de deflexão eletrostática. Para se evitar a canalização de íons
dentro do substrato, a lâmina é disposta no porta amostra com uma angulação de 7 o em
relação ao feixe. Esta inclinação evita o efeito de canalização que ocorre na rede cristalina
do Si, como exemplificado na Figura 2.6:
Figura 2.6: Redes cristalinas das orientações , ), e rotação da
e efeito da canalização dos íons.
As interações dos íons dopantes com os átomos da superfície da amostra são dos tipos
atômicas e eletrônicas, fazendo com que os íons percam sua energia e fiquem localizados
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