Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

até 10 18 íons/cm 2 para a formação das regiões de fonte e dreno. A principal vantagem
desta técnica em relação ao processo de difusão, é o seu maior controle na quantidade de
dopantes dentro do substrato, o que para um processo MOS é de extrema importância,
tendo em vista que é através desta implantação que serão formadas as regiões de fonte
e dreno no dispositivo. Além disso, o maior controle de dopantes permite também um
melhor ajuste da tensão limiar de condução (VT ) do respectivo transistor. Entre outras
vantagens da técnica de implantação de íons, está também o seu relativo curto tempo
de processo, o qual embora dependa da dose de íons a serem implantados, dura apenas
poucos minutos, ao contrário do processo de difusãooqualpodeduraraté dias. Através
deste, épossível também realizar-se o processo de dopagem de forma mais homogênea,
assim como, alcançar um bom grau de reprodutibilidade.
Além destes, a implantação de íons é ainda realizada em temperaturas relativamente
baixas, com diferentes materiais como óxidos, nitretos, metais e fotoresinas, podendo atuar
como máscaras. Uma outra vantagem importante desta técnica é a baixa profundidade
de penetração dos íons no substrato, permitindo assim modificações apenas próximas da
superfície. Por fim, a seqüência das etapas de implantação, isto é, as diferentes energias e
doses aplicadas, permitem também uma otimização dos perfis de dopagem no substrato.
A desvantagem deste processo équecomoosíons são implantados na lâmina através
de impacto, este processo causa danos na rede cristalina do semicondutor. Portanto, é
necessário fazer uma etapa posterior de recozimento da lâmina para a reconstrução da
rede cristalina. Na Figura 2.5(a) é mostrada uma foto do implantador de íons disponível
no CCS e na Figura 2.5(b) é apresentado um diagrama esquemáticorepresentandooseu
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