Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Tipos de Dopagem
Difusão Térmica
Dois métodos são normalmente empregados no processo de dopagem de Si. O primeiro
delesetambém o mais antigo, éométodo por difusão térmica. Esta técnica depende da
utilização de altas temperaturas e da solubilidade do sólidoparaadeposição do dopante.
Para tanto, a técnica consiste em duas fases: na primeira as lâminas a serem dopadas são
cuidadosamente conduzidas a um forno que contém uma mistura de gases formados pelo
dopante desejado, havendo assim uma deposição do dopante sobre a superfície. E em uma
seguda fase ocorre então a absorção do dopante pelo substrato.
Nesta segunda fase, a absorção ocorre em função de um gradiente de concentração
entre os dois meios, ou seja, os íons são transportados da região de maior para a região de
menor concentração em um processo que acontece com temperaturas normalmente entre
800 o C e 1200 o C. A vantagem deste método é o seu baixo custo e, seu inconveniente éo
longo tempo necessário para efetuar toda a deposição, o qual em alguns casos pode durar
até dias.
Implantação Iônica
O segundo método, e o mais utilizado atualmente éaimplantação iônica. Esta, consiste
na introdução de íons altamente energéticos dentro da rede cristalina do semicondutor.
Normalmente, a energia destes íons varia entre 1 keV e 1 MeV, resultando numa dis-
tribuição de íons com uma profundidade no substrato variando desde 10 nm até cerca de
10 µm. As doses de íons também variam desde 10 12 íons/cm 2 para ajuste da tensão limiar
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