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Figura 2.4: Ilustração do processo de litografia óptica empregando-se resinas positivas e negativas. modo de proximidade, no qual a mesma é disposta apenas alguns micrometros da superfície deste. Ambos possuem vantagens e desvantagens, porém tão importante quanto estas, éa classificação da sala na qual o processo é realizado. De modo a minimizar contaminações por pequenas partículas nas estruturas a serem fotolitografadas, é recomendável que a sala seja no mínimo de classe 100, ou seja, possua 100 particulas por pécúbico. Ainda, devido a sensibilidade da fotoresina à luz UV, todo o processo desde a aplicação do polímero sobre o substrato até a fotogravação, deve ser feita em sala com luz amarela. Após a fotogravação, as regiões da fotoresina não sensibilizadas são então removidas com um solvente específico através de um processo conhecido como revelação. 2.2.3 Dopagem A dopagem de um semicondutor, consiste como descrito na introdução, na inserção de impurezas dentro da rede cristalina deste. O principal objetivo desta é mudar e modular as propriedades elétricas do material. 61
Tipos de Dopagem Difusão Térmica Dois métodos são normalmente empregados no processo de dopagem de Si. O primeiro delesetambém o mais antigo, éométodo por difusão térmica. Esta técnica depende da utilização de altas temperaturas e da solubilidade do sólidoparaadeposição do dopante. Para tanto, a técnica consiste em duas fases: na primeira as lâminas a serem dopadas são cuidadosamente conduzidas a um forno que contém uma mistura de gases formados pelo dopante desejado, havendo assim uma deposição do dopante sobre a superfície. E em uma seguda fase ocorre então a absorção do dopante pelo substrato. Nesta segunda fase, a absorção ocorre em função de um gradiente de concentração entre os dois meios, ou seja, os íons são transportados da região de maior para a região de menor concentração em um processo que acontece com temperaturas normalmente entre 800 o C e 1200 o C. A vantagem deste método é o seu baixo custo e, seu inconveniente éo longo tempo necessário para efetuar toda a deposição, o qual em alguns casos pode durar até dias. Implantação Iônica O segundo método, e o mais utilizado atualmente éaimplantação iônica. Esta, consiste na introdução de íons altamente energéticos dentro da rede cristalina do semicondutor. Normalmente, a energia destes íons varia entre 1 keV e 1 MeV, resultando numa dis- tribuição de íons com uma profundidade no substrato variando desde 10 nm até cerca de 10 µm. As doses de íons também variam desde 10 12 íons/cm 2 para ajuste da tensão limiar 62
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[31] A. Huczko, Template-based synt
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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