Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...
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uma estrutura amorfa, e portanto, não apresenta periodicida<strong>de</strong> através <strong>de</strong> sua re<strong>de</strong> <strong>de</strong><br />
átomos. Além disso, as distâncias intermoleculares se apresentam <strong>de</strong> forma relativamente<br />
gran<strong>de</strong>s, <strong>de</strong> modo que somente cerca <strong>de</strong> 43% do espaço é ocupado pelas moléculas <strong>de</strong> SiO2.<br />
Isto significa que uma varieda<strong>de</strong> <strong>de</strong> impurezas como Na + po<strong>de</strong>m penetrar e difundir-se<br />
através <strong>de</strong>sta. Uma outra consi<strong>de</strong>ração importante équantoaotipo<strong>de</strong>espécie oxidante<br />
utilizada. A oxidação realizada somente com O2 é conhecida como oxidação seca, enquanto<br />
que aquela que utiliza vapor <strong>de</strong> água é chamada <strong>de</strong> oxidação úmida. A diferença funda-<br />
mental entre estas está relacionada com a espessura do óxido formado, isto é, enquanto a<br />
oxidação seca é utilizada no crescimento <strong>de</strong> filmes finos (< 100 nm), a oxidação úmida no<br />
mesmo intervalo <strong>de</strong> tempo da seca proporciona a formação <strong>de</strong> filmes relativamente mais<br />
espessos (> 100 nm). Na Figura 2.2 é mostrada uma foto do forno convencional utilizado<br />
durante o processamento dos transistores. Ao final dos processos <strong>de</strong> oxidação, as espes-<br />
suras dos óxidos formados foram medidas utilizando-se um interferômetro Rudolph/FTM<br />
(quando a espessura foi > 100 nm) e um elipsômetro Auto EL (quando a espessura foi<br />
< 100 nm) com laser (λ=632,8nm) <strong>de</strong> He-Ne e ângulo <strong>de</strong> incidência <strong>de</strong> 70 0 ,ambosda<br />
Empresa Rudolph Technologies, Inc.<br />
2.2.2 Litografia<br />
A litografia é um processo <strong>de</strong> transferência <strong>de</strong> padrões com formas geométricas iguais<br />
e/ou diferentes <strong>de</strong>senhadas em uma máscara, para uma fina camada <strong>de</strong> um polímero foto-<br />
sensível que recobre uma superfície on<strong>de</strong> os padrões serão gravados. São estes padrões que<br />
<strong>de</strong>finem as várias regiões <strong>de</strong> um transistor, isto é, as regiões <strong>de</strong> dopagem, porta, trilhas <strong>de</strong><br />
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