Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

uma estrutura amorfa, e portanto, não apresenta periodicidade através de sua rede de
átomos. Além disso, as distâncias intermoleculares se apresentam de forma relativamente
grandes, de modo que somente cerca de 43% do espaço é ocupado pelas moléculas de SiO2.
Isto significa que uma variedade de impurezas como Na + podem penetrar e difundir-se
através desta. Uma outra consideração importante équantoaotipodeespécie oxidante
utilizada. A oxidação realizada somente com O2 é conhecida como oxidação seca, enquanto
que aquela que utiliza vapor de água é chamada de oxidação úmida. A diferença funda-
mental entre estas está relacionada com a espessura do óxido formado, isto é, enquanto a
oxidação seca é utilizada no crescimento de filmes finos (< 100 nm), a oxidação úmida no
mesmo intervalo de tempo da seca proporciona a formação de filmes relativamente mais
espessos (> 100 nm). Na Figura 2.2 é mostrada uma foto do forno convencional utilizado
durante o processamento dos transistores. Ao final dos processos de oxidação, as espes-
suras dos óxidos formados foram medidas utilizando-se um interferômetro Rudolph/FTM
(quando a espessura foi > 100 nm) e um elipsômetro Auto EL (quando a espessura foi
< 100 nm) com laser (λ=632,8nm) de He-Ne e ângulo de incidência de 70 0 ,ambosda
Empresa Rudolph Technologies, Inc.
2.2.2 Litografia
A litografia é um processo de transferência de padrões com formas geométricas iguais
e/ou diferentes desenhadas em uma máscara, para uma fina camada de um polímero foto-
sensível que recobre uma superfície onde os padrões serão gravados. São estes padrões que
definem as várias regiões de um transistor, isto é, as regiões de dopagem, porta, trilhas de
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