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introduzida junto a este. Posteriormente, através dos mecanismos de aquecimento térmico como convecção e condução, a espécie oxidante é aquecida pela energia térmica dissipada de uma resistência e transfere parte de seu calor para as lâminas de Si. O fluxo desta é indicado na Figura 2.1. Na outra extremidade, um fluxo de ar filtrado e altamente puro é mantido na direção perpendicular ao fluxo do gás contendo a espécie oxidante. O uso deste reduz a quantidade de material particulado no forno e como consequência minimiza contaminações no óxido. A temperatura de oxidação está geralmente entre 900 o C e 1200 o C, e o fluxo de gás é cerca de 1 L/min. Adicionalmente, os fornos de oxidação possuem sistemas que regulam o fluxo e a sequência de entrada dos gases, assim como, uma rampa de aquecimento, o que evita desta maneira que as lâminas e o óxido sofram algum processo de estresse devido a mudança repentina de temperatura. Figura 2.2: Forno de oxidação convencional disponível no CCS. Uma característica importante da oxidação térmica équeoóxido formado apresenta 57
uma estrutura amorfa, e portanto, não apresenta periodicidade através de sua rede de átomos. Além disso, as distâncias intermoleculares se apresentam de forma relativamente grandes, de modo que somente cerca de 43% do espaço é ocupado pelas moléculas de SiO2. Isto significa que uma variedade de impurezas como Na + podem penetrar e difundir-se através desta. Uma outra consideração importante équantoaotipodeespécie oxidante utilizada. A oxidação realizada somente com O2 é conhecida como oxidação seca, enquanto que aquela que utiliza vapor de água é chamada de oxidação úmida. A diferença funda- mental entre estas está relacionada com a espessura do óxido formado, isto é, enquanto a oxidação seca é utilizada no crescimento de filmes finos (< 100 nm), a oxidação úmida no mesmo intervalo de tempo da seca proporciona a formação de filmes relativamente mais espessos (> 100 nm). Na Figura 2.2 é mostrada uma foto do forno convencional utilizado durante o processamento dos transistores. Ao final dos processos de oxidação, as espes- suras dos óxidos formados foram medidas utilizando-se um interferômetro Rudolph/FTM (quando a espessura foi > 100 nm) e um elipsômetro Auto EL (quando a espessura foi < 100 nm) com laser (λ=632,8nm) de He-Ne e ângulo de incidência de 70 0 ,ambosda Empresa Rudolph Technologies, Inc. 2.2.2 Litografia A litografia é um processo de transferência de padrões com formas geométricas iguais e/ou diferentes desenhadas em uma máscara, para uma fina camada de um polímero foto- sensível que recobre uma superfície onde os padrões serão gravados. São estes padrões que definem as várias regiões de um transistor, isto é, as regiões de dopagem, porta, trilhas de 58
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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4. CONCLUSÕES • A configuração
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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