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2. EXPERIMENTAL Todo o processo de fabricação dos transistores de efeito de campo foi conduzido no Centro de Componentes Semicondutores (CCS) da UNICAMP, que possui uma estrutura completa para a fabricação deste tipo de dispositivo em escala micro e submicrométrica. 2.1 Reagentes e Materiais Todos os reagentes empregados no CCS durante a construção dos ISFETs foram de grau eletrônico, com pureza equivalente a 99,999%. Assim, reagentes orgânicos como acetona e álcool isopropílico e também os inorgânicos (H2SO4, H2O2, H3PO4, HF,eNH4OH) utilizados nos processos de limpeza foram adquiridos através da empresa J.T.Baker, enquanto os polímeros fotosensíveis AZ 1350 J, AZ 5214-E e AZ 4620 utilizados nos processos de litografia foram comprados da empresa Clariant. O revelador usado para ambos polímeros foi o AZ 312 MIF (metal ion free) (Clariant), o qual é a base de hidróxido de tetrametil amônio. Para a fabricação dos respectivos ISFETs, lâminas de silício tipo p (adquiridas através da empresa PCA) com diâmetro de duas polegadas e orientação cristalina foram utilizadas. 2.2 Métodos e Equipamentos Os principais métodos empregados na fabricação dos respectivos transistores foram a oxidação térmica, processos de fotolitografia, a implantação iônica e a metalização 23 . 55
2.2.1 Oxidação Aoxidação térmica consiste no crescimento de uma camada de óxido de silício (SiO2) sobre o próprio substrato de silício. A formação deste é realizada usualmente em fornos convencionais de oxidação. Basicamente, o SiO2 térmico é crescido através da reação entre osilício do substrato e uma espécie oxidante, tal como O2 ou vapor da água. A reação destes com o silício é mostrada abaixo: Si(s) + O2(g) → SiO2(s) Si(s) +2H2O(v) → SiO2(s) +2H2(g) Na Figura 2.1 é mostrada uma representação esquemática do processo de oxidação em um forno convencional. Figura 2.1: Representação de um forno térmico convencional Neste, as amostras são conduzidas através de um tubo cilíndrico de quartzo fundido. Den- tro deste então, as lâminas de Si são dispostas verticalmente sobre um substrato (barca) feito de quartzo, sendo que em uma das extremidades do tubo uma espécie oxidante é 56
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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DEDICO ESTA DISSERTAÇÃO aos meus
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Resumo Título : Desenvolvimento de
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[31] A. Huczko, Template-based synt
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[45] S. R. Ekanayake, M. B. Cortie,
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[60] F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayd
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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