Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...
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2. EXPERIMENTAL<br />
Todo o processo <strong>de</strong> fabricação dos transistores <strong>de</strong> efeito <strong>de</strong> campo foi conduzido no<br />
Centro <strong>de</strong> Componentes Semicondutores (CCS) da UNICAMP, que possui uma estrutura<br />
completa para a fabricação <strong>de</strong>ste tipo <strong>de</strong> dispositivo em escala micro e submicrométrica.<br />
2.1 Reagentes e Materiais<br />
Todos os reagentes empregados no CCS durante a construção dos ISFETs foram <strong>de</strong> grau<br />
eletrônico, com pureza equivalente a 99,999%. Assim, reagentes orgânicos como acetona e<br />
álcool isopropílico e também os inorgânicos (H2SO4, H2O2, H3PO4, HF,eNH4OH) utiliza-<br />
dos nos processos <strong>de</strong> limpeza foram adquiridos através da empresa J.T.Baker, enquanto<br />
os polímeros fotosensíveis AZ 1350 J, AZ 5214-E e AZ 4620 utilizados nos processos <strong>de</strong><br />
litografia foram comprados da empresa Clariant. O revelador usado para ambos polímeros<br />
foi o AZ 312 MIF (metal ion free) (Clariant), o qual é a base <strong>de</strong> hidróxido <strong>de</strong> tetrametil<br />
amônio. Para a fabricação dos respectivos ISFETs, lâminas <strong>de</strong> silício tipo p (adquiridas<br />
através da empresa PCA) com diâmetro <strong>de</strong> duas polegadas e orientação cristalina <br />
foram utilizadas.<br />
2.2 Métodos e Equipamentos<br />
Os principais métodos empregados na fabricação dos respectivos transistores foram a<br />
oxidação térmica, processos <strong>de</strong> fotolitografia, a implantação iônica e a metalização 23 .<br />
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