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Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

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seja condutor, como no caso da eletro<strong>de</strong>posição.<br />

Desta maneira, ressalta-se que algumas características como as forças <strong>de</strong> capilarida<strong>de</strong><br />

e molhabilida<strong>de</strong> das pare<strong>de</strong>s dos poros <strong>de</strong>vem ser suficientemente altas para permitir o<br />

seu completo preenchimento com o(s) líquido(s) precursor(es) contendo a espécie a ser<br />

reduzida. Um outro ponto importante éaa<strong>de</strong>são da estrutura formada com as pare<strong>de</strong>s<br />

dos poros. Se durante o início do processo <strong>de</strong> cristalização a a<strong>de</strong>são éfraca,então a<br />

solidificação começa no centro do poro, e estruturas como nanopartículas, nanofios ou<br />

nanobastões são as mais prováveis a serem formadas. Todavia, caso a a<strong>de</strong>são seja forte, o<br />

processo <strong>de</strong> solidificação começa nas laterais, iniciando assim a formação <strong>de</strong> nanotubos 39 .<br />

Uma outra vantagem na aplicação <strong>de</strong> alumina anódica, é sua capacida<strong>de</strong> <strong>de</strong> combinação<br />

com as técnicas <strong>de</strong> microfabricação em microeletrônica, e portanto sua implementação<br />

como óxido <strong>de</strong> porta em transistores <strong>de</strong> efeito <strong>de</strong> campo 50,51,52,53,54 . A alta porosida<strong>de</strong><br />

<strong>de</strong>sta associada a sua elevada constante dielétrica (Tabela 1.1) e estabilida<strong>de</strong> química,<br />

fazem <strong>de</strong>sta um dos óxidos <strong>de</strong> porta mais promissores no uso <strong>de</strong> sensores baseados em<br />

efeito <strong>de</strong> campo. Um primeiro motivo para este, éoaumentonaárea superficial da porta<br />

do transistor em função da alta porosida<strong>de</strong> apresentada pela alumina. Mas além disso,<br />

este óxido po<strong>de</strong> ainda atuar como um mol<strong>de</strong> para o crescimento vertical <strong>de</strong> nanoestruturas<br />

metálicas sobre superfície do transistor. A presença <strong>de</strong>stas então permite com que uma<br />

diferença <strong>de</strong> função trabalho entre o metal e o semicondutor que forma o transistor seja<br />

estabelecida. Variações no campo elétrico resultante <strong>de</strong>sta diferença <strong>de</strong> potencial criada<br />

pelos dois materiais, po<strong>de</strong> então ser usado como parâmetro para modular o funcionamento<br />

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