Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

condutor.
Como a medida se baseia em uma diferença de função trabalho entre o material que
forma a porta do transistor e o semicondutor abaixo, não há assim nenhuma relação
Nernstiana, uma vez que agora os potenciais de interface não estão sendo medidos, mas
simapenasasvariações de Φms, desta forma o uso de um eletrodo de referência durante
as medidas é desnecessário, pois o líquido que recobre a porta do sensor agora não faz
mais parte do circuito do mesmo 22 . Sendo assim, as variações de condutância ao longo do
canal de condução entre fonte e dreno podem ser usadas para monitorar tais variações de
função trabalho, isto pois, como mostrado através da Equação 16, a corrente id no canal
é função direta de VT , que por sua vez está intrinsicamente ligado as diferenças de Φms.
Todavia, um dos problemas em usar a diferença de função trabalho Φms para modular
quimicamente a tensão limiar, équeΦé uma propriedade que depende como um todo do
meio envolvido e desta forma é uma função geral de fenômenos eletroquímicos na superfície
do transistor, o que pode acarretar em um aumento no tempo de resposta deste devido
adifusão das espécies envolvidas. Uma alternativa para este seria o uso de eletrodos
de porta ultra finos, os quais devido a sua pequena geometria mas grande volume de
superfície, poderiam ser mais sensíveis a pequenas variações de potencial. 22 .
1.6 Nanoestruturas Metálicas Como Nanoeletrodos
de Porta
Nanoestruturas de metais nobres, tais como prata (Ag) ou ouro (Au) demonstram-
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