Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Figura 1.9: Efeito pinch-off.
de sua resistência e ocasionando o seu estrangulamento 24 .
No caso da porta do transistor ser recoberta com uma solução contendo íons com cargas
negativas, como uma solução alcalina por exemplo, as considerações acima a respeito do
comportamento elétrico do ISFET são válidas somente até uma certa extensão, ou seja,
oacúmulo de íons com cargas negativas na porta do transistor promoverá também um
acúmulo de lacunas (cargas positivas) na superfície do semicondutor (ψs < 0) e como
consequência um aumento na região de depleção entre os terminais de fonte e dreno.
Como resultado, nenhum canal de condução é formado e o transistor é dito estar no modo
desligado, pois nenhuma corrente id flui entre fonte e dreno. Estas considerações são
invertidas quando o ISFET em questão édotipoPMOS 23,24 .
1.5 Como Modular a Função Trabalho de um ISFET
Como visto anteriormente, a formação de um canal condutor em um ISFET é depen-
dente do potencial que as espécies em uma solução exercem sobre a porta do dispositivo.
Para que o transistor esteja no modo ”ligado”, é necessário que este potencial seja maior
que a sua tensão limiar. Isto significa que o funcionamento do ISFET pode ser controlado
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