Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

estabelecido. A condutância (gm) neste canal éentão descrita através da seguinte relação
gm =
id
(VGS − VT )
(Eq.15)
Quando a magnitude de VDS for da ordem de poucos milivolts, como por exemplo
100 mV, a relação id−VDS é praticamente linear. Neste instante, a corrente id pode ser
descrita através da seguinte relação
id = β[(VGS − VT )VDS − 1
2 .V 2 DS] (Eq.16)
sendo β um parâmetro de sensibilidade do transistor, descrito através de
W
β = µCox
L
(Eq.17)
onde µ é a mobilidade dos elétrons na camada de inversão, Cox a capacitânciadoóxido
de porta por unidade de área e W/L éarazão entre comprimento e amplitude do canal
condutor. Aumentando o valor de VDS, entretanto, resulta em uma queda de tensão na
extensão do canal e consecutivamente o valor de id não se altera mais, permanecendo assim
constante. Isto ocorre devido a um efeito conhecido como pinch-off, o qual é na verdade
um estrangulamento do canal no sentido da fonte para o dreno, conforme mostrado na
Figura 1.9.
Este estrangulamento ocorre toda vez que valores de VDS relativamente altos são aplicados,
isto pois, há uma saturação da corrente id no canal resultando portanto em um aumento
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