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as cargas negativas (elétrons livres) das regiões de fonte e dreno para a região da porta do transistor. Resultando portanto, na formação de uma camada de inversão e logo de um canal condutor entre fonte e dreno, neste momento temos que ψB VT , a camada de inversão ocorrerá e um canal de condução entre fonte e dreno será 34
estabelecido. A condutância (gm) neste canal éentão descrita através da seguinte relação gm = id (VGS − VT ) (Eq.15) Quando a magnitude de VDS for da ordem de poucos milivolts, como por exemplo 100 mV, a relação id−VDS é praticamente linear. Neste instante, a corrente id pode ser descrita através da seguinte relação id = β[(VGS − VT )VDS − 1 2 .V 2 DS] (Eq.16) sendo β um parâmetro de sensibilidade do transistor, descrito através de W β = µCox L (Eq.17) onde µ é a mobilidade dos elétrons na camada de inversão, Cox a capacitânciadoóxido de porta por unidade de área e W/L éarazão entre comprimento e amplitude do canal condutor. Aumentando o valor de VDS, entretanto, resulta em uma queda de tensão na extensão do canal e consecutivamente o valor de id não se altera mais, permanecendo assim constante. Isto ocorre devido a um efeito conhecido como pinch-off, o qual é na verdade um estrangulamento do canal no sentido da fonte para o dreno, conforme mostrado na Figura 1.9. Este estrangulamento ocorre toda vez que valores de VDS relativamente altos são aplicados, isto pois, há uma saturação da corrente id no canal resultando portanto em um aumento 35
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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