Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

planasejaalcançada, um potencial correspondente a diferença de função trabalho qΦms
deve ser aplicado. Aplicando-se um potencial negativo de banda plana (VFB)aometal,
tem-se 23
VFB = qΦms
Desta maneira, os potenciais de superfície assim como os níveis de Fermi do metal e
do semicondutor se igualam, e qualquer perturbação neste conduz para um curvamento
das bandas, causando assim dependendo da natureza eletrostática da perturbação, uma
acumulação ou depleção dos portadores na superfície do semicondutor.
1.4 Transistores de Efeito Campo - Modo de Operação
Baseado nos conceitos descritos anteriormente, épossível agora avaliar o comporta-
mento elétrico de dispositivos como MOSFETs e ISFETs baseando-se na modulação de
suas funções trabalho. Para um ISFET, o modo de operação neste caso, dependerá da
natureza química da solução sobre a porta do transistor. Isto é, se uma solução con-
tendo íons com cargas positivas, como uma solução ácida por exemplo, recobrir a porta
de um ISFET do tipo NMOS sem eletrodo de porta, cargas positivas se acumularão na
superfície do óxido que recobre a porta deste, como consequência, os portadores de carga
positiva (lacunas) no semicondutor tendem a sofrer repulsão da região superficial da porta
deixando esta levemente menos positiva, isto é, mais negativa. Adicionalmente, o campo
elétrico criado pela acumulação das cargas positivas na superfície do óxidoatraitambém
33