Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

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eventualmente a banda de condução se aproxima mais do nível de Fermi. O início de uma forte inversão passa a ocorrer quando a concentração de elétrons próximo da interface óxido/semicondutor é igual ao nível de dopagem do substrato. O potencial de superfície do semicondutor (ψs) variaentão em função destas. Em resumo, as seguintes condições podem ocorrer com a variação do potencial eletrostático: ψs < 0 curvatura das bandas para cima e acumulação de lacunas. ψs = 0 Condição onde as bandas são planas. ψB >ψs > 0 curvatura das bandas para baixo e depleção de lacunas. ψB = ψs Condição onde ns=np=ni (ns= concentração de dopantes na superfície) ψB
planasejaalcançada, um potencial correspondente a diferença de função trabalho qΦms deve ser aplicado. Aplicando-se um potencial negativo de banda plana (VFB)aometal, tem-se 23 VFB = qΦms Desta maneira, os potenciais de superfície assim como os níveis de Fermi do metal e do semicondutor se igualam, e qualquer perturbação neste conduz para um curvamento das bandas, causando assim dependendo da natureza eletrostática da perturbação, uma acumulação ou depleção dos portadores na superfície do semicondutor. 1.4 Transistores de Efeito Campo - Modo de Operação Baseado nos conceitos descritos anteriormente, épossível agora avaliar o comporta- mento elétrico de dispositivos como MOSFETs e ISFETs baseando-se na modulação de suas funções trabalho. Para um ISFET, o modo de operação neste caso, dependerá da natureza química da solução sobre a porta do transistor. Isto é, se uma solução contendo íons com cargas positivas, como uma solução ácida por exemplo, recobrir a porta de um ISFET do tipo NMOS sem eletrodo de porta, cargas positivas se acumularão na superfície do óxido que recobre a porta deste, como consequência, os portadores de carga positiva (lacunas) no semicondutor tendem a sofrer repulsão da região superficial da porta deixando esta levemente menos positiva, isto é, mais negativa. Adicionalmente, o campo elétrico criado pela acumulação das cargas positivas na superfície do óxidoatraitambém 33
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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