Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

fi e χ em função de um parâmetro externo podem também ser exploradas como possibili-
dades para controlar a função trabalho, conduzindo assim para um novo conceito, isto é,
a modulação da função trabalho. Esta por sua vez, pode ser estabelecida pela modulação
dos parâmetros químicos e eletroquímicos dos íons (os dois primeiros termos da Equação
12) ou pela energia de superfície (o último termo da Equação 12).
Para a modulação através dos parâmetros químicos e eletroquímicos, é essencial que
as espécies a serem medidas penetrem o interior do material, enquanto para a modulação
superficial apenas a superfície do sensor deve ser alcançada. Desta forma, como as funções
trabalho podem ser medidas facilmente a partir da estrutura de um MOSFET, pratica-
mente todos os sensores baseados no conceito da modulação da função trabalho são do
tipo FET 28,29 .
Um dos primeiros grupos a explorar esta possibilidade foi o grupo de Lundström 30 ,
o qual construiu um FET sensível a hidrogênio molecular. O dispositivo na verdade era
um MOSFET com o eletrodo de porta sendo uma fina de camada de paládio (Pd). A
escolha deste foi devido as propriedades catalíticas do metal. Lundström e colaboradores
mostraram que a quantidade de hidrogênio que é adsorvido e que difunde-se para dentro
do Pd é muito baixa para influenciar a função trabalho, porém, de outra maneira, os
átomos adsorvidos na interface Pd/SiO2, formam um dipolo que influencia a parte da
energia superficial qχ (eletroafinidade) da função trabalho. A magnitude desta modulação
depende portanto, do número de sítios de adsorção disponíveis por unidade de área na
interface Pd/SiO2.
28