Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...
Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...
Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
VA resultam numa variação do nível <strong>de</strong> Fermi em direção a banda <strong>de</strong> condução (Figura<br />
1.5(b)). Esta mudança é consistente com o fato que a probabilida<strong>de</strong> <strong>de</strong> ocupação dos níveis<br />
<strong>de</strong> energia próximos da banda <strong>de</strong> condução <strong>de</strong>ve ser maior. Da mesma forma, porém com<br />
<strong>de</strong>slocamento do nível <strong>de</strong> Fermi em direção contrária, ocorre quando o semicondutor é<br />
dopado com elementos do grupo IIIA da tabela periódica, conforme mostrado na Figura<br />
1.5(c). Ainda, conforme a concentração <strong>de</strong> dopantes aumenta, como po<strong>de</strong> ser quantificado<br />
através do número <strong>de</strong> portadores <strong>de</strong> carga móvel por cm 3 ,aEF <strong>de</strong>sloca-se cada vez mais<br />
para próximo das bandas <strong>de</strong> valência ou condução 23,27 .<br />
1.2.5 O nível <strong>de</strong> Fermi e os potenciais <strong>de</strong> interface<br />
Onível <strong>de</strong> Fermi em um semicondutor po<strong>de</strong> ser também i<strong>de</strong>ntificado num modo mais<br />
termodinâmico, <strong>de</strong> modo que as proprieda<strong>de</strong>s eletrônicas do semicondutor no estado sólido<br />
possam ser correlacionadas com aquelas <strong>de</strong> outros meios em outros estados físicos, como<br />
porexemplooseucontatocomumlíquido. Para tanto, uma <strong>de</strong>scrição mais física para<br />
consi<strong>de</strong>rações experimentais da energia <strong>de</strong> Fermi, é assumir esta última como a energia<br />
média dos elétrons disponíveis entre os vários níveis <strong>de</strong> energia. Neste momento éimpor-<br />
tantesalientarquea<strong>de</strong>nsida<strong>de</strong><strong>de</strong>elétrons, isto é, o número <strong>de</strong> elétrons por unida<strong>de</strong> <strong>de</strong><br />
volume em um semicondutor é função da <strong>de</strong>nsida<strong>de</strong> <strong>de</strong> estados, ou seja, do número <strong>de</strong><br />
estados permitidos num alcance <strong>de</strong> energia por unida<strong>de</strong> <strong>de</strong> volume.<br />
Experimentalmente, estas consi<strong>de</strong>rações são extremamente valiosas uma vez que o<br />
nível <strong>de</strong> Fermi dos semicondutores e dos metais <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> um outro parâmetro físico, a<br />
função trabalho (Φ) do material. Esta última é <strong>de</strong>finida como a energia necessária para<br />
23