Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...
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dos preenchidos, o material não apresentará proprieda<strong>de</strong>s condutoras e logo não respon-<br />
<strong>de</strong>rá a nenhum campo elétrico. Agora, casos as bandas <strong>de</strong> valência e condução do sólido<br />
apresentem-se separadas por uma energia <strong>de</strong> banda gap entre 0.6 e 2.9 eV, a primeira <strong>de</strong>las<br />
não estará totalmente preenchida e do mesmo modo a banda <strong>de</strong> condução não estará total-<br />
mente vazia. Isto ocorre pois, elétrons po<strong>de</strong>m através <strong>de</strong> excitação térmica <strong>de</strong>ixar a banda<br />
<strong>de</strong> valência e ocupar assim estados <strong>de</strong> energia na banda <strong>de</strong> condução. Esta excitação dos<br />
elétrons a partir da banda <strong>de</strong> valência gera nesta vacâncias, também <strong>de</strong>nominadas como<br />
lacunas que po<strong>de</strong>m se mover através <strong>de</strong>sta banda <strong>de</strong>vido ao rearranjo dos elétrons nesta.<br />
Estes elétrons excitados (livres) e as lacunas, as quais são carregadas positivamente vivem<br />
em equilíbrio dinâmico, po<strong>de</strong>ndo assim serem aniquilados por recombinação. Usualmente,<br />
estes são também chamados <strong>de</strong> portadores <strong>de</strong> carga. Naturalmente, os dois únicos elemen-<br />
tos que em seu estado puro são semicondutores, sãooSi(EbG=1,1 eV) e o Ge (EbG=0,7<br />
eV). Em seu estado puro, estes são <strong>de</strong>nominados como semicondutores intrínsecos, pois<br />
na maioria dos casos os elétrons só po<strong>de</strong>m <strong>de</strong>ixar a banda <strong>de</strong> valência e ocupar a banda<br />
<strong>de</strong> condução através <strong>de</strong> excitação térmica 23 .<br />
Dopagem<br />
Este processo <strong>de</strong> excitação po<strong>de</strong> também ser facilitado pela introdução <strong>de</strong> impurezas<br />
(dopantes) consi<strong>de</strong>radas aceitadoras ou doadoras junto a re<strong>de</strong> cristalina <strong>de</strong> um <strong>de</strong>stes semi-<br />
condutores, formando <strong>de</strong>sta forma um semicondutor do tipo extrínseco. Desta maneira,<br />
impurezas ou dopantes pertencentes a família VA da tabela periódica comportam-se,<br />
quando substituídos junto a re<strong>de</strong> cristalina do semicondutor, como doadores <strong>de</strong> elétrons,<br />
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