Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Para tanto, ”trilhas”de algum material condutor, normalmente alumínio, são desenhadas
e configuradas para estabelecer contato elétrico com estas regiões.
No caso de um MOSFET, uma terceira trilha de contato ligando o eletrodo de porta do
transistor étambém produzida. O mesmo, entretanto, não acontece em um ISFET, uma
vez que o potencial na porta do transistor é estabelecido através do potencial eletroquímico
de uma fase líquida ou gasosa sobre este. Todavia, o desafio deste último é justamente
como conduzir uma fase, seja ela líquida ou gasosa, sobre apenas a região de porta do
sensor, sem que haja contato com os terminais laterais de fonte e dreno 22 . Este foi na
verdade um dos grandes problemas encontrados durante a construção e operação dos
primeiros ISFETs. Todavia, com o recente desenvolvimento dos microssistemas e o uso
de técnicas litográficas, muitas destas dificuldades estão sendo superadas. Como exemplos
destes, cita-se os recentes avanços na fabricação de microcanais empregando o polímero po-
lidimetilsiloxano (PDMS) 25,26 , o qual além de apresentar excelentes propriedades elásticas,
demonstra ainda capacidade de biocompatibilidade, podendo assim ser utilizado como en-
capsulante em biochips implantáveis.
1.2.4 ISFET: Conceitos físicos
Oprincípio de funcionamento de um ISFET é baseado nas propriedades físicas do
semicondutor utilizado em sua construção. Portanto, para uma discussão mais detalhada
arespeitodoseufuncionamentoelétrico, alguns conceitos clássicos sobre a física do estado
sólido devem ser previamente considerados.
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