Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

operação, uma tensão positiva aplicada na porta faz com que cargas positivas se acumulem
na parte de cima da placa do capacitor, ou seja, no eletrodo de porta. Paralelamente, car-
gas negativas se acumularão na placa de baixo, iniciando assim a indução da formação
de um canal condutor entre fonte e dreno. Portanto, um campo elétrico está atuando na
direção vertical, e é esse campo que controla a quantidade de cargas no canal 24 . Logo,
ele determina a condutividade e, por sua vez, a corrente que circulará quando uma tensão
for aplicada entre os terminais de fonte e dreno. Sem a formação deste canal condutor, o
transistor não opera, isto pois, o caminho entre a fonte e o dreno apresenta uma resistência
da ordem de 10 12 Ω.
Desta forma, finas camadas do óxido de porta permitem com que potenciais menores
sejam aplicados para a formação deste canal condutor, o que para indústria da mi-
croeletrônica isto representa uma econômia em termos de energia e também um ganho
de velocidade no chaveamento do transistor 23,24 . O mesmo étambém estendido ao IS-
FET,oqualemboranão possua eletrodo de porta, mas tem sua condutividade no canal
modulada pelo potencial eletroquímico da solução adjancente a esta.
1.2.3 ISFETs: Isolamento
A metalização dos terminais de fonte e dreno e o consequente isolamento elétrico destes
éaúltima etapa durante a construção do ISFET. Os contatos elétricos destes ou as regiões
de pad, assim como estes também são chamados, devem estar o mais longe possível da
região da porta do transistor, isto com o intuito não só de proporcionar um fácil encapsu-
lamento das regiões de fonte e dreno mas também para evitar um curto circuito entre estas.
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