Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

More documents

Recommendations

Info

tem a seguinte configuração: Fonte/Porta/Dreno. Dentro desta configuração, o transistor pode ainda por sua vez ser classificado em NPN ou NMOS e PNP ou PMOS, onde ambos são distinguidos de acordo com a natureza de cada dopante nos terminais de fonte e dreno. No caso de uma configuração NPN, as regiões de fonte e dreno são usualmente formadas por arsênio e/ou fósforo, os quais são elementos que possuem em relação ao silício, um elétron a mais em sua camada de valência, sendo estes caracterizados como dopantes do tipo n, pois uma carga negativa é gerada na rede de átomos de silício. Enquanto isto, em uma configuração PNP, a fonte e o dreno são normalmente constituídos por boro, o qual ao contrário dos elementos da família VA, tem três elétrons em sua camada de valência, ou seja, um a menos do que os elementos da família IVA, o que em termos físicos implica na geração de uma carga positiva na rede de ligações entre os átomos de sílicio, daí a denominação tipo p 23 . Quando em um processo ambos tipos de transistores são contruídos e configurados dentro de um mesmo circuito, este éentão conhecido como um processo CMOS (complemen- tary metal-oxide-semiconductor), ou metal-óxido-semicondutor complementar. Aparte destas, tecnologicamente a configuração NMOS (NPN) tem algumas vantagens sobre a configuração PMOS (PNP), isto é, transistores NMOS podem ser construídos em escalas menores, além ainda de operarem de modo mais rápido 24 . 1.2.1 Geometria vs propriedades elétricas Um outro ponto importante é a configuração geométrica do transistor, a qual no caso da construção de um dispositivo baseado na mesma tecnologia usada na fabricação de um 14
MOSFET, as dimensões de fonte e dreno são as mesmas, isto é, o transistor ésimétrico. Adicionalmente, as dimensões de largura (L) e comprimento (W) desempenham uma importante função nos valores de transcondutância (gm) do transistor. Por exemplo, altos valores de transcondutância em um MOSFET e ou ISFET podem ser alcançados com transistores apresentando curtas dimensões de L mas longas de W 23,24 . 1.2.2 O óxido de porta e a performance do transistor Uma das características mais importantes e também um desafio nos dias atuais para aindústria da microeletrônica, éoóxido de porta do transistor. Este pode também ser considerado como a ferramenta chave para o funcionamento do dispositivo. Em ISFETs, o óxido de porta normalmente utilizado éoSiO2, mas outros como Al2O3, Ta2O5 eSi3N4 são também utilizados 22 . Duas características deste óxido são essenciais no funcionamento do transistor, a primeira delas refere-se a constante dielétrica do material utilizado, os preferi- dos normalmente são aqueles extremamente dielétricos ou como também são conhecidos, materiais de K elevado, exemplos destes são o óxido de háfnio (HfO2) e o titanato de estrôncio (SrTiO3). A espessura destes materiais é o outro fator limitante, finas camadas de óxido são re- comendáveis para que este possa isolar as portas dos minúsculos transistores. Bergveld por exemplo, em seu ISFET reportado em 1970, utilizou como óxidodeportaoSiO2 com uma espessura de 100 nm. A importância destes está baseada no comportamento elétrico que este óxido deve exercer na porta do transistor, isto é, no caso de um MOSFET o eletrodo de porta e o corpo do transistor formam um capacitor de placas paralelas. Durante sua 15
Page 1 and 2: Universidade Estadual de Campinas I
Page 3 and 4: Agradecimentos Ao Instituto de Qu
Page 5 and 6: DEDICO ESTA DISSERTAÇÃO aos meus
Page 7 and 8: 2003-2004 Universidade Regional de
Page 9 and 10: Resumo Título : Desenvolvimento de
Page 11 and 12: Lista de Figuras 1.1 Prognóstico d
Page 13 and 14: 2.7 Evaporadora térmica (Edwards)
Page 15 and 16: 3.13 Imagem superficial de SiO2 (55
Page 17 and 18: 3.26 (a) Conjunto de transistores d
Page 19 and 20: 3.34 Detecção de glutationa (GSH)
Page 21 and 22: Sumário 1 INTRODUÇÃO 1 1.1 A Min
Page 23 and 24: 3.2.1 A escolha da orientação cri
Page 25 and 26: INTRODUÇÃO O desenvolvimento de t
Page 27 and 28: Além destes, existem ainda os sens
Page 29 and 30: diversos microcomponentes, otimizan
Page 31 and 32: 1.1.1 Os microssensores História H
Page 33 and 34: sistores de efeito de campo, abriu
Page 35: dreno. A primeira aplicação para
Page 39 and 40: Para tanto, ”trilhas”de algum m
Page 41 and 42: dos preenchidos, o material não ap
Page 43 and 44: atribuída aos elétrons n em Ec, o
Page 45 and 46: VA resultam numa variação do nív
Page 47 and 48: Fisicamente, na fase sólida a dife
Page 49 and 50: sólido é dada por ¯µi = µi + z
Page 51 and 52: 1.3 Propriedades Elétricas: A Fun
Page 53 and 54: curvarão ainda mais para baixo, de
Page 55 and 56: planasejaalcançada, um potencial c
Page 57 and 58: estabelecido. A condutância (gm) n
Page 59 and 60: somente pela modulação de VT . Ad
Page 61 and 62: se como ferramentas alternativas e
Page 63 and 64: dutância elétrica (G) através de
Page 65 and 66: Fisicamente, o comprimento de Debye
Page 67 and 68: e portanto sua reatividade é esper
Page 69 and 70: Figura 1.14: Estrutura geral de uma
Page 71 and 72: seja condutor, como no caso da elet
Page 73 and 74: amostras contendo as espécies de i
Page 75 and 76: CAPÍTULO 2 EXPERIMENTAL 53 1
Page 77 and 78: 2.2.1 Oxidação Aoxidação térmi
Page 79 and 80: uma estrutura amorfa, e portanto, n
Page 81 and 82: de campo escuro apresentam seus pad
Page 83 and 84: Tipos de Dopagem Difusão Térmica
Page 85 and 86: modo de funcionamento. Figura 2.5:
Page 87 and 88:
apenas em uma pequena profundidade
Page 89 and 90:
impurezas que podem estar no ambien
Page 91 and 92:
Figura 2.8: Representação esquem
Page 93 and 94:
Etapa II Esta etapa consiste no uso
Page 95 and 96:
do substrato. Desta maneira, a impl
Page 97 and 98:
tribuição do polímero fotosensí
Page 99 and 100:
mais 10 minutos. Na sequência as l
Page 101 and 102:
de íons. Em seguida, realizou-se o
Page 103 and 104:
para assegurar que todo o TCE utili
Page 105 and 106:
40 segundos a 4000 rpm. Nesta veloc
Page 107 and 108:
de uma solução mista de AgNO3 100
Page 109 and 110:
Feito esta e após os processos de
Page 111 and 112:
CAPÍTULO 3 RESULTADOS E DISCUSSÃO
Page 113 and 114:
Figura 3.1: (a) Ilustração geral
Page 115 and 116:
Figura 3.3: Segunda máscara empreg
Page 117 and 118:
Figura 3.7: Sexta máscara empregad
Page 119 and 120:
Figura 3.9: a) Sobreposição do la
Page 121 and 122:
Onde os termos VFB, κ, NA,D, ni co
Page 123 and 124:
Tabela 3.1: Características elétr
Page 125 and 126:
da lâmina foi realizada proposital
Page 127 and 128:
Observando-se os valores destes, ve
Page 129 and 130:
É importante destacar que a qualid
Page 131 and 132:
Figura 3.14: Imagens de microscopia
Page 133 and 134:
Figura 3.15: Morfologia da camada d
Page 135 and 136:
O estresse mecânico e a organizaç
Page 137 and 138:
Figura 3.17: Imagem de MEV da camad
Page 139 and 140:
de nanopartículas de Ag com diâme
Page 141 and 142:
propriedades ópticas diferentes da
Page 143 and 144:
detecção de macromoléculas biol
Page 145 and 146:
Crescimento Dois aspectos important
Page 147 and 148:
Nas Figuras 3.24 (a) e (b) são mos
Page 149 and 150:
interações de van der Waals e con
Page 151 and 152:
Tabela 3.4: Resultados dos coeficie
Page 153 and 154:
de transistores. Nas Figuras 3.26 (
Page 155 and 156:
Figura 3.27: Curvas de ID xVDS com
Page 157 and 158:
Figura 3.29: Curva de ID xVGS com V
Page 159 and 160:
é, quanto maior esta, maior mobili
Page 161 and 162:
Esta diferença é explicada nos me
Page 163 and 164:
Figura 3.32: Detecção de pH com o
Page 165 and 166:
levar à corrosão e portanto forma
Page 167 and 168:
Figura 3.33: Estrutura molecular de
Page 169 and 170:
característica observada em todas
Page 171 and 172:
comprimento de Debye foi estimado e
Page 173 and 174:
4. CONCLUSÕES • A configuração
Page 175 and 176:
nanoestruturas de Ag e Au, nos quai
Page 177 and 178:
5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
Page 179 and 180:
Referências Bibliográficas [1] B.
Page 181 and 182:
[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
Page 183 and 184:
[31] A. Huczko, Template-based synt
Page 185 and 186:
[45] S. R. Ekanayake, M. B. Cortie,
Page 187 and 188:
[60] F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayd
Page 189 and 190:
[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
Page 191:
[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
show all

Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?