Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

silício com conexões para os terminais de fonte (F) e dreno (D) e uma camada de dióxido
de silício (SiO2) sobre a porta dos transistores. Na configuração normal de um MOSFET,
oóxido da porta é ainda coberto com um metal, o qual servirá durante a operação do
dispositivo como um eletrodo de porta, que por sua vez tem a função de induzir ou não
a formação de um canal condutor entre os terminais de fonte e dreno. Esta indução de
campo pode, entretanto, ser realizada por outras fontes, sendo uma destas a dupla camada
formada por íons na interface óxido/silício. Isto então sugere, que não explicitamente um
potencial através de um eletrodo de porta é necessário para induzir a formação de um
canal condutor entre fonte e dreno. Esta indução pode ser também realizada pela carga
no óxido sobre a porta do transistor, a qual por sua vez pode ser controlada pela imersão
de um ISFET em uma solução contendo espécies iônicas.
Quando imerso em uma solução aquosa, o dióxido de silício que recobre a porta do IS-
FET tem propriedades de hidratação similares àquelas das membranas de vidro dos eletro-
dos sensíveis ao pH. Nestas, uma dupla camada será formada na interface óxido/solução,
e logo, caso a espessura do óxido seja pequena, isto é, da ordem de poucas centenas de
nanometros, esta dupla camada irá induzir a formação de um canal condutor entre os
terminais de fonte e dreno. A formação deste último, no entanto, depende da atividade
das espécies iônicas na solução adjacente ao óxido. Logo, uma mudança na atividade
dos íons irá ser medida como uma mudança na condutância do canal. Uma importante
diferença deste em relação aos métodos convencionais para a detecção de espécies, éanão
necessidade do uso de um eletrodo de referência, no caso do monitoramento ser realizado
controlando-se não o potencial mas sim a condutância do canal formado entre fonte e
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