Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Pioneiro nesta nova linha de sensores, Piet Bergveld descreveu em 1970 que transistores de
efeito de campo (FETs) poderiam ser configurados como sensores ou biossensores, no quais
seu princípio de detecção é baseado no efeito de campo gerado por espécies eletricamente
carregadas na superfície do transistor 15 . A este novo tipo de sensor, Bergveld atribuiu
o nome de transistor de efeito de campo sensível a íons, ou ISFET. Estes, foram então
categorizados como sensores potenciométricos, uma vez que o potencial na superfície do
transistor sensível a íons é medido em relação a um eletrodo de referência convencional
como Ag/AgCl. Desta forma, a resposta analítica do sensor deve seguir a equação de
Nernst, a qual é mostrada abaixo:
E = const. + RT
nF lnai
(Eq.1)
Esta, indica que a diferença de potencial registrada entre dois eletrodos é devido a formação
de uma dupla camada elétrica devido aos íons presentes em sua superfície, e a soma da
queda de potencial dentro desta em cada uma das junções dos respectivos eletrodos. Assim,
o sinal de interesse deve ser proveniente de apenas uma contribuição local e isolada de
outras espécies que possam contribuir para a soma da diferença de potencial. O problema,
entretanto, é que os potenciais somente podem ser medidos se eles fizerem parte da entrada
do circuito, o qual deve possuir um amplificador para detectar tal diferença.
Desta maneira, registrando a partir da dupla camada não o potencial correspondente,
mas a densidade de cargas na superfície do sensor, épossível detectar de forma separada
as atividades daqueles íons presentes na interface solução/superfície do eletrodo. Assim,
a proposta de Bergveld para o desenvolvimento e aplicação de sensores baseados em tran-
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