Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

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1.7 Alumina Anódica: Óxido de Porta e Molde para o Crescimento de Nanoestruturas .............................. 46 1.7.1 Estresse mecânico e modelo de formação de poros auto- organizados .............................. 47 1.7.2 Alumina anódica porosa: Molde para o crescimento de nanoestruturas .............................. 48 1.8 Objetivos .................................... 52 2 EXPERIMENTAL 54 2.1 Reagentes e Materiais ............................ 55 2.2 Métodos e Equipamentos .......................... 55 2.2.1 Oxidação ................................ 56 2.2.2 Litografia ............................... 58 2.2.3 Dopagem ............................... 61 2.2.4 Metalização .............................. 66 2.3 Procedimentos ................................ 69 2.3.1 Layout e fabricação de máscaras de litografia ......... 69 2.3.2 Construção dos ISFETs ....................... 69 3 RESULTADOS E DISCUSSÃO 91 3.1 Layout das Máscaras de Litografia Projetadas ............ 93 3.1.1 Regras de projeto .......................... 99 3.2 Fabricação dos ISFETs ........................... 100 xxx
3.2.1 A escolha da orientação cristalográfica do substrato ..... 100 3.2.2 Oajustedatensão limiar (VT ) .................. 101 3.2.3 Caracterizações de acompanhamento da fabricação dos IS- FETs .................................. 102 3.2.4 Caracterização elétrica dos dispositivos formados ...... 132 3.2.5 Caracterização elétrica dos transistores controle ....... 135 3.2.6 Primeiras medidas de pH utilizando os ISFETs produzidos 140 3.2.7 Detecção de glutationa em tempo real ............. 147 4 CONCLUSÕES 153 5 TRABALHOS FUTUROS 159 6 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 163 xxxi
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Feito esta e após os processos de
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[31] A. Huczko, Template-based synt
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[45] S. R. Ekanayake, M. B. Cortie,
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[60] F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayd
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
Page 191:
[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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