Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

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Lista de Tabelas 1.1 Alumina Anódica: CaracterísticasGerais................... 50 2.1 Processo de oxidação úmida a 1000 o C .................... 74 2.2 Processo de recozimento e oxidação úmida a 1000 o C ............ 79 2.3 Processo de oxidaçãodeporta,fonteedreno................. 81 3.1 Características elétricas e concentração inicial de impurezas nos substratos de Si ................................... 104 3.2 Perfil do processo de implantação de 31 P + e caracteristicas elétricas das lâminasdeSi................................... 107 3.3 Características geométricas da alumina anódica produzida sobre a porta dostransistores.................................. 113 3.4 Resultados dos coeficientes de textura calculados para os planos crista- lográficos de Ag e Au observados na Figura 3.24 . . . . . . . . . . . . . . . 132 3.5 Características elétricas de fonte e dreno durante o efeito pinch-off. . . . . 137 3.6 Características elétricas gerais dos transistores controle (MOSFETs). . . . 139 xxviii
Sumário 1 INTRODUÇÃO 1 1.1 A Miniaturização e os Microssistemas .................. 6 1.1.1 Os microssensores .......................... 9 1.1.2 ISFETs e MOSFETs ........................ 11 1.2 ISFETs: Arquitetura e a Física do Estado Sólido ........... 13 1.2.1 Geometria vs propriedades elétricas ............... 14 1.2.2 Oóxido de porta e a performance do transistor ....... 15 1.2.3 ISFETs: Isolamento ......................... 16 1.2.4 ISFET: Conceitos físicos ...................... 17 1.2.5 Onível de Fermi e os potenciais de interface ......... 23 1.3 Propriedades Elétricas: A Função Trabalho nos FETs ....... 29 1.4 Transistores de Efeito Campo - Modo de Operação ......... 33 1.5 Como Modular a Função Trabalho de um ISFET .......... 36 1.6 Nanoestruturas Metálicas Como Nanoeletrodos de Porta ..... 38 1.6.1 Nanoestruturas metálicas: propriedades elétricas gerais .. 40 1.6.2 Propriedades gerais de superfície ................. 44 xxix
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Etapa II Esta etapa consiste no uso
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[31] A. Huczko, Template-based synt
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[45] S. R. Ekanayake, M. B. Cortie,
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[60] F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayd
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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