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5 CAPÍTULO TRABALHOS FUTUROS 159 1
5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapas futuras pretende-se finalizar a fabricação dos transistores com di- mensões de 2 x 50 µm e otimizar as condições que afetam as medidas dos dispositivos como sensores para diferentes valores de pH, utilizando assim os trêstiposdedispos- itivos formados, isto é, transistores só com alumina e alumina contendo nanoestruturas de Ag e Au, além ainda de verificar a sensibilidade destes quanto a soluções contendo espécies biológicas como proteínas, anti-corpos e/ou ácidos nucléicos. • Associado a estas, o trabalho tem o propósito futuro de construir microcanais sobre somente a porta dos transistores, para facilitar assim a entrega em fluxo de soluções diretamente sobre a área ativa dos dispositivos, permitindo desta forma um monitoramento com análise temporal. 161
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Universidade Estadual de Campinas I
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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DEDICO ESTA DISSERTAÇÃO aos meus
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2003-2004 Universidade Regional de
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Resumo Título : Desenvolvimento de
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Lista de Figuras 1.1 Prognóstico d
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2.7 Evaporadora térmica (Edwards)
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3.13 Imagem superficial de SiO2 (55
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3.26 (a) Conjunto de transistores d
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3.34 Detecção de glutationa (GSH)
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Sumário 1 INTRODUÇÃO 1 1.1 A Min
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3.2.1 A escolha da orientação cri
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INTRODUÇÃO O desenvolvimento de t
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Além destes, existem ainda os sens
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diversos microcomponentes, otimizan
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1.1.1 Os microssensores História H
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sistores de efeito de campo, abriu
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dreno. A primeira aplicação para
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MOSFET, as dimensões de fonte e dr
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Para tanto, ”trilhas”de algum m
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dos preenchidos, o material não ap
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atribuída aos elétrons n em Ec, o
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VA resultam numa variação do nív
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Fisicamente, na fase sólida a dife
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sólido é dada por ¯µi = µi + z
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1.3 Propriedades Elétricas: A Fun
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curvarão ainda mais para baixo, de
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planasejaalcançada, um potencial c
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estabelecido. A condutância (gm) n
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somente pela modulação de VT . Ad
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se como ferramentas alternativas e
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dutância elétrica (G) através de
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Fisicamente, o comprimento de Debye
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e portanto sua reatividade é esper
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Figura 1.14: Estrutura geral de uma
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seja condutor, como no caso da elet
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amostras contendo as espécies de i
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CAPÍTULO 2 EXPERIMENTAL 53 1
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2.2.1 Oxidação Aoxidação térmi
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uma estrutura amorfa, e portanto, n
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de campo escuro apresentam seus pad
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Tipos de Dopagem Difusão Térmica
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modo de funcionamento. Figura 2.5:
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apenas em uma pequena profundidade
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impurezas que podem estar no ambien
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Figura 2.8: Representação esquem
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Etapa II Esta etapa consiste no uso
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do substrato. Desta maneira, a impl
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tribuição do polímero fotosensí
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mais 10 minutos. Na sequência as l
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de íons. Em seguida, realizou-se o
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para assegurar que todo o TCE utili
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40 segundos a 4000 rpm. Nesta veloc
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de uma solução mista de AgNO3 100
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Feito esta e após os processos de
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CAPÍTULO 3 RESULTADOS E DISCUSSÃO
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Figura 3.1: (a) Ilustração geral
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Figura 3.3: Segunda máscara empreg
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Figura 3.7: Sexta máscara empregad
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Figura 3.9: a) Sobreposição do la
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Onde os termos VFB, κ, NA,D, ni co
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Page 181 and 182: [14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
Page 183 and 184: [31] A. Huczko, Template-based synt
Page 185 and 186: [45] S. R. Ekanayake, M. B. Cortie,
Page 187 and 188: [60] F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayd
Page 189 and 190: [77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
Page 191: [92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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