Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

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assim ser estendido para a deposição de outros materiais e, demonstrando-se alta- mente atrativo para processos tecnológicos envolvendo a fabricação de ISFETs. • Apresença destes nanocristais metálicos sobre a porta dos transistores, sugere que cada um destes pode atuar como um nanoeletrodo de porta, onde em uma área de 1 cm 2 cerca de 1,000,000,000 de nanoeletrodos podem ser produzidos. Característica tal, que torna estes dispositivos vantajosos em termos de sensibilidade em relação a ISFETs comerciais. • A caracterização elétrica dos transistores controle mostrou o funcionamento dos dispositivos, assim como, serviu como um indicativo para as características de VT e transcondutância nos sensores. • Os primeiros testes destes ISFETs como sensores para a detecção de soluções com diferentes valores de pH, demonstraram que mesmo sem a etapa de sinterização os dispositivos formados respondem para estas conforme os princípios elétricos de transistores NMOS. Análises em tempo real mostram que os tempos de resposta (t) para os sensores são extremamente curtos (t < 30s). Os resultados indicam ainda que a presença dos nanocristais metálicos aumenta a sensibilidade dos sensores em relação àqueles contendo somente alumina. • Os primeiros testes para a detecção de moléculas de interesse biológico, mostraram que mesmo para moléculas pequenas e com uma baixa densidade de cargas, assim como é a glutationa, os sensores apresentaram resposta elétrica conforme o efeito de campo gerado em sua superfície. Esta foi mais pronunciada naqueles possuindo as 156
nanoestruturas de Ag e Au, nos quais concentrações de até0,2µmol/L e 0,29 µmol/L respectivamente, foram detectadas. Estes, mostram que mesmo sem a etapa de sin- terização os sensores foram capazes de apresentar resposta para este tipo de espécie, sugerindo assim que resultados melhores podem ser alcançados após a sinterização e otimização das medidas. • Os transistores com dimensõesde2x50µm, estão ainda sendo fabricados em um procedimento diferenciado. Neste, as etapas de recozimento e oxidação são realizadas com temperaturas relativamente mais baixas, com intuito de evitar-se uma difusão excessiva dos dopantes das regiões de fonte e dreno e portanto, ocasionar contato entre ambas, o que acarretaria em um curto circuito no canal. 157
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Universidade Estadual de Campinas I
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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DEDICO ESTA DISSERTAÇÃO aos meus
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2003-2004 Universidade Regional de
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Resumo Título : Desenvolvimento de
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Lista de Figuras 1.1 Prognóstico d
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2.7 Evaporadora térmica (Edwards)
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3.34 Detecção de glutationa (GSH)
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Sumário 1 INTRODUÇÃO 1 1.1 A Min
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3.2.1 A escolha da orientação cri
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INTRODUÇÃO O desenvolvimento de t
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Além destes, existem ainda os sens
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diversos microcomponentes, otimizan
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1.1.1 Os microssensores História H
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sistores de efeito de campo, abriu
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dreno. A primeira aplicação para
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MOSFET, as dimensões de fonte e dr
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Para tanto, ”trilhas”de algum m
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dos preenchidos, o material não ap
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atribuída aos elétrons n em Ec, o
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VA resultam numa variação do nív
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Fisicamente, na fase sólida a dife
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sólido é dada por ¯µi = µi + z
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1.3 Propriedades Elétricas: A Fun
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curvarão ainda mais para baixo, de
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planasejaalcançada, um potencial c
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estabelecido. A condutância (gm) n
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somente pela modulação de VT . Ad
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se como ferramentas alternativas e
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dutância elétrica (G) através de
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Fisicamente, o comprimento de Debye
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seja condutor, como no caso da elet
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amostras contendo as espécies de i
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2.2.1 Oxidação Aoxidação térmi
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uma estrutura amorfa, e portanto, n
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de campo escuro apresentam seus pad
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Tipos de Dopagem Difusão Térmica
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Etapa II Esta etapa consiste no uso
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de íons. Em seguida, realizou-se o
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para assegurar que todo o TCE utili
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de uma solução mista de AgNO3 100
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Feito esta e após os processos de
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