Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

assim ser estendido para a deposição de outros materiais e, demonstrando-se alta-
mente atrativo para processos tecnológicos envolvendo a fabricação de ISFETs.
• Apresença destes nanocristais metálicos sobre a porta dos transistores, sugere que
cada um destes pode atuar como um nanoeletrodo de porta, onde em uma área de 1
cm 2 cerca de 1,000,000,000 de nanoeletrodos podem ser produzidos. Característica
tal, que torna estes dispositivos vantajosos em termos de sensibilidade em relação a
ISFETs comerciais.
• A caracterização elétrica dos transistores controle mostrou o funcionamento dos dis-
positivos, assim como, serviu como um indicativo para as características de VT e
transcondutância nos sensores.
• Os primeiros testes destes ISFETs como sensores para a detecção de soluções com
diferentes valores de pH, demonstraram que mesmo sem a etapa de sinterização
os dispositivos formados respondem para estas conforme os princípios elétricos de
transistores NMOS. Análises em tempo real mostram que os tempos de resposta (t)
para os sensores são extremamente curtos (t < 30s). Os resultados indicam ainda
que a presença dos nanocristais metálicos aumenta a sensibilidade dos sensores em
relação àqueles contendo somente alumina.
• Os primeiros testes para a detecção de moléculas de interesse biológico, mostraram
que mesmo para moléculas pequenas e com uma baixa densidade de cargas, assim
como é a glutationa, os sensores apresentaram resposta elétrica conforme o efeito de
campo gerado em sua superfície. Esta foi mais pronunciada naqueles possuindo as
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