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CAPÍTULO 4 CONCLUSÕES 155 1
4. CONCLUSÕES • A configuração e projeção de máscaras litográficas, seguida da utilização destas para a fabricação de conjuntos de ISFETs com portas de dimensões de 10 x 50 µme50x50 µm interligados paralelamente, foi possível de ser realizada, implementando-se para tanto, uma etapa adicional, etapa de anodização e crescimento de nanoestruturas metálicas, em relação a um processo convencional para a formação de transistores MOS. • A configuração da 4 a máscara de litografia utilizada na etapa adicional implemen- tada, permitiu a formação de uma fina camada de alumina contendo uma alta den- sidade de poros (∼ 10 11 poros/cm 2 ) com dimensões nanométricas regularmente dis- tribuídos sobre a porta dos transistores, aumentando assim sua área superficial de forma significativa. • A formação desta fina camada de alumina altamente porosa sobre a porta dos transistores representa um dos caráteres inovadores do trabalho, assim como a sua uti- lização como um molde para o crescimento vertical de nanocristais de metais nobres sobre os dispositivos. Um controle nas condições experimentais pode ainda resultar em camadas de alumina com poros com diferentes dimensões, permitindo assim a formação de cristais com distintos tamanhos. • O processo de crescimento da alumina porosa e a deposição separada de nanocristais de Ag e Au dentro de seus poros, foi conduzida de forma relativamente simples, rápida e eficiente em relação a processos similares descritos na literatura, podendo 155
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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DEDICO ESTA DISSERTAÇÃO aos meus
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2003-2004 Universidade Regional de
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Resumo Título : Desenvolvimento de
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Lista de Figuras 1.1 Prognóstico d
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3.34 Detecção de glutationa (GSH)
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Sumário 1 INTRODUÇÃO 1 1.1 A Min
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3.2.1 A escolha da orientação cri
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INTRODUÇÃO O desenvolvimento de t
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Além destes, existem ainda os sens
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diversos microcomponentes, otimizan
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1.1.1 Os microssensores História H
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sistores de efeito de campo, abriu
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dreno. A primeira aplicação para
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MOSFET, as dimensões de fonte e dr
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Para tanto, ”trilhas”de algum m
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dos preenchidos, o material não ap
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atribuída aos elétrons n em Ec, o
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VA resultam numa variação do nív
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Fisicamente, na fase sólida a dife
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sólido é dada por ¯µi = µi + z
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1.3 Propriedades Elétricas: A Fun
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curvarão ainda mais para baixo, de
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Fisicamente, o comprimento de Debye
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amostras contendo as espécies de i
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2.2.1 Oxidação Aoxidação térmi
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uma estrutura amorfa, e portanto, n
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Tipos de Dopagem Difusão Térmica
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modo de funcionamento. Figura 2.5:
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impurezas que podem estar no ambien
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Figura 2.8: Representação esquem
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Etapa II Esta etapa consiste no uso
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tribuição do polímero fotosensí
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de íons. Em seguida, realizou-se o
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para assegurar que todo o TCE utili
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de uma solução mista de AgNO3 100
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Feito esta e após os processos de
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Page 181 and 182: [14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
Page 183 and 184: [31] A. Huczko, Template-based synt
Page 185 and 186: [45] S. R. Ekanayake, M. B. Cortie,
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