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sentar uma sensibilidade levemente maior ao efeito de campo elétricoqueosISFETscon- tendo apenas alumina. Porém, para maiores detalhes sobre estes, demais análises fazem-se necessárias. Nos transistores contendo Ag e Au (Figuras 3.34(D) e (E) respectivamente), onde as adições sucessivas de glutationa conduziram a um decréscimo na condutância. A forte interação do grupo tiol pelas superfícies de Ag e Au deve ser considerada. Esta forte interação, a qual é reportada de forma extensiva na literatura 2,31,32,93,94 ,não tem ainda sua natureza totalmente elucidada, porém a hipótese mais aceita éumaadição oxidativa da ligação S-H àsuperfície do metal, seguida por uma eliminação redutiva de hidrogênio conforme mostrado na sequência R-S-H + 2Au 0 n → R-S − Au + +Au 0 n + 1/2H2 Assim, diferentemente da alumina, a adição de glutationa nos respectivos transistores pode conduzir a ligação desta sobre a superfície dos metais, aumentado assim a densidade de cargas negativas sobre estes e portanto promovendo variações de campo elétrico em sua su- perfície, o que por sua vez afeta o campo gerado pela diferença de função trabalho entre os metais e o semicondutor. Conforme estas, observa-se que os primeiros resultados apontam para uma boa sensibilidade dos sensores, sendo estes capazes de detectar concentrações da ordem de submicromolar, mesmo sem ter passado pela etapa de sinterização. Em adição, como destacado na introdução, o comprimento de Debye é um outro fator importante na sensibilidade destes nanomaterias. Neste caso, para a concentração de NaCl utilizada o 151
comprimento de Debye foi estimado em torno de 7 nm, assim considerando o tamanho médio dos cristais de Ag e Au como 38.5 ± 11 nm e 26 ± 11 nm, respectivamente, a amplitude do canal de condução (Lc) foi calculada através da Equação 21, resultando em valores de Lc = 24.5 nm para Ag e Lc 12 nm para Au, e sugerindo desta forma que o comprimento de Debye étambém um dos responsáveis pela variação de campo elétrico na superfície dos cristais, uma vez que o diâmetro destes é levemente maior que 2LD. Logo, um maior efeito na mobilidade de cargas localizadas nos metais é esperado. Em resumo, o campo elétrico criado pela diferença de função trabalho entre o semicondutor e os metais é afetado pela densidade de cargas na superfície destes últimos. Assim, apresença de espécies elétricamente carregadas em sua superfície pode afetar de forma significativa esta densidade de cargas, sendo este efeito mais pronunciado quando as di- mensões dos nanocristais se aproximam do comprimento de Debye, o qual quanto mais longo, menor o campo elétrico na superfície do material. Afetando desta maneira o campo criado pela diferença de função trabalho. 152
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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DEDICO ESTA DISSERTAÇÃO aos meus
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Resumo Título : Desenvolvimento de
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1.1.1 Os microssensores História H
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1.3 Propriedades Elétricas: A Fun
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2.2.1 Oxidação Aoxidação térmi
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Etapa II Esta etapa consiste no uso
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