Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

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3.20 (a) Imagens de MEV-FEG com diferentes magnificações de nanoestruturas de Ag crescidas dentro dos poros de alumina. (b) Espectro de reflectância das estruturas formadas (Ag-NC) comparadas a alumina pura e também a um padrãodeAg................................. 122 3.21 (a) Imagens de MEV-FEG com diferentes magnificações de nanoestruturas de Au crescidas dentro dos poros de alumina. (b) Espectro de reflectância das estruturas formadas (Au-NC) comparadas a alumina pura e também a um padrãodeAu................................. 123 3.22 Representação da distribuição de impurezas ao longo da estrutura de um poro de alumina anódica............................. 126 3.23 Ilustração esquemática de um mecanismo sugerido para o crescimento dos nanocristaisdeAgeAu............................. 127 3.24 Imagens de FEG-MEV de alumina após a primeira etapa de redução de a) Ag e b) Au. As Figuras inseridas nestas são imagens das mesmas alumi- nas, mas agora após a segunda etapa de redução. c) Imagem transversal de alumina após a segunda de redução de Ag. d) Imagem transversal de alumina após a segunda de redução de Au. Os círculos em c) e d) mostram as partículas metálicasformadas. ....................... 128 3.25 Difratogramas de a) somente alumina, b) alumina contendo nanocristais de Auec)aluminacontendonanocristaisdeAg. ................ 130 xxiv
3.26 (a) Conjunto de transistores de dimensõesde10x50µm (L e W, respectivamente) contendo nanocristais de Au em sua porta. (b) Imagem de alumina não contendo Ag ou Au, crescida sobre a porta (50 x 50 µm ) de transistores. (c) Imagem de alumina crescida sobre a porta de transistores de 50 x50µm e contendo nanoestruturas de Ag. (d) Transistor com porta de dimensões 50 x 50 µm, L e W respectivamente. (e) Curvas I-V das regiões de fonte e dreno do conjunto de transistores de 10 x 50 µm e50x50µm. (f) Curvas I-V das regiões de fonte e dreno de transistores de isolados. . . 133 3.27 Curvas de ID xVDS com diferentes valores de VGS de um MOSFET tipo NMOS (NPN) de L = 10 µm eW=50µm. ................. 136 3.28 Curvas de ID xVDS com diferentes valores de VGS de um MOSFET tipo NMOS (NPN) de L = 50 µm eW=50µm. ................. 136 3.29 Curva de ID xVGS com VDS de 1 V para o MOSFET tipo NMOS (NPN) deL=10µm eW=50µm. ......................... 138 3.30 Curva de ID xVGS com VDS de 1 V para o MOSFET tipo NMOS (NPN) deL=50µm eW=50µm. ......................... 138 3.31 Curvas de ID xVDS com soluções tampão fosfato para os ISFETs com porta de 10 x 50 µm contendo a) somente alumina na porta, b) alumina comnanocristaisdeAgec)aluminaenanocristaisdeAu. ......... 141 xxv
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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