12.04.2013 Views

Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

característica observada em todas as três curvas após esta primeira adição, foi uma elevação<br />

na condutância. Esta, ao contrário do esperado é associada a um aumento da capacitância<br />

<strong>de</strong> porta <strong>de</strong>vido a adsorção inicial das moléculas <strong>de</strong> glutationa que comportam-se como<br />

um dielétrico. Logo, como este aumento <strong>de</strong> capacitância ocorre sobre a alumina, a qual<br />

como mostrado anteriormente, no pH em torno <strong>de</strong> 7 possui uma quantida<strong>de</strong> consi<strong>de</strong>rável<br />

<strong>de</strong> cargas positivas sobre sua superfície, este aumento <strong>de</strong> capacitância induz assim, inicial-<br />

mente a um aumento <strong>de</strong> corrente, e portanto <strong>de</strong> condutância, entre os terminais <strong>de</strong> fonte e<br />

dreno. Isto pois, a <strong>de</strong>nsida<strong>de</strong> <strong>de</strong> cargas positivas sobre a alumina é muito superior a <strong>de</strong>nsi-<br />

da<strong>de</strong> <strong>de</strong> cargas negativas das moléculas <strong>de</strong> glutationa. Entretanto, a medida que o número<br />

<strong>de</strong> moléculas <strong>de</strong> glutationa que se difun<strong>de</strong>m para a superfície da porta dos transistores<br />

aumenta, a <strong>de</strong>nsida<strong>de</strong> <strong>de</strong> cargas negativas sobre este também aumenta, induzindo assim a<br />

uma diminuição da condutância entre fonte e dreno. Esta diminuição ocorre, pois o efeito<br />

<strong>de</strong> campo gerado pela <strong>de</strong>nsida<strong>de</strong> <strong>de</strong> cargas negativas sobre a porta dos transistores, supera<br />

o efeito inicial do aumento da capacitância 86 . Este tipo <strong>de</strong> efeito <strong>de</strong> aumento seguido <strong>de</strong><br />

<strong>de</strong>caimento <strong>de</strong> potencial em ISFETs étambém reportado na literatura 90,91,92 .<br />

Observando-se ainda a Figura 3.34(C), verifica-se que para os transistores contendo so-<br />

mente alumina na porta, as variações <strong>de</strong> condutância em função das sucessivas adições <strong>de</strong><br />

glutationa são muito pequenas, sugerindo que a <strong>de</strong>nsida<strong>de</strong> <strong>de</strong> carga para as concentrações<br />

<strong>de</strong> glutationa adicionadas não foram suficientes para promover uma variação significativa<br />

na <strong>de</strong>nsida<strong>de</strong> <strong>de</strong> carga positiva total da alumina. Comparando-se os sinais normalizados<br />

<strong>de</strong>sta última (Figura 3.34(F) I ) com os <strong>de</strong> ISFETs <strong>de</strong> mesmas dimensões, mas contendo<br />

nanocristais <strong>de</strong> Ag (Figura 3.34(F) II ), verifica-se que estes últimos <strong>de</strong>monstram apre-<br />

150

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!