Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...
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levar à corrosão e portanto formação <strong>de</strong> novos grupos SOH2 + na superfície <strong>de</strong> alumina,<br />
proporcionando <strong>de</strong>sta forma um aumento na condutância, assim como observado para pHs<br />
mais ácidos.<br />
É importante ainda ressaltar que por simplicida<strong>de</strong> as influências da adsorção<br />
<strong>de</strong> contra-íons não foi consi<strong>de</strong>rada neste caso.<br />
As mesmas observações são válidas também para o caso <strong>de</strong> transistores contendo as<br />
nanoestruturas <strong>de</strong> Ag e Au. Nestas, todavia, consi<strong>de</strong>rações a respeito da diferença <strong>de</strong><br />
função <strong>de</strong> trabalho entre os metais e o semicondutor <strong>de</strong>vem ser feitas. A quantida<strong>de</strong><br />
<strong>de</strong> cargas na superfície da porta dos transistores neste caso édadanão somente pela<br />
alumina porosa, mas também pela superfície dos nanocristais metálicos. Nestes, embora<br />
não <strong>de</strong>terminado, mas espera-se como reportado na literatura 86 que a sua função trabalho<br />
seja menor do que seus materiais em escala macro (bulk). Assim, como a função trabalho<br />
é consi<strong>de</strong>rada ser menor, pequenas variações <strong>de</strong> carga e portanto <strong>de</strong> campo elétrico na<br />
sua superfície, causam também uma variação entre o campo elétrico estabelecido entre<br />
o metal e o semicondutor. Estas variações po<strong>de</strong>m ocorrer por exemplo, <strong>de</strong>vido a queda<br />
<strong>de</strong> potencial <strong>de</strong>ntro da dupla camada elétrica, presente na superfície das nanoestruturas<br />
quando expostas a soluções com diferentes valores <strong>de</strong> pH 86 .<br />
No caso dos transistores contendo nanocristais <strong>de</strong> Ag (Figura 3.32(C)), observa-se que<br />
a <strong>de</strong>tecção <strong>de</strong> diferentes pHs apresenta uma boa linearida<strong>de</strong> numa faixa <strong>de</strong> pH entre 3 e 9.<br />
Para os transistores <strong>de</strong> 50 x 50 µm contendo Au (Figura 3.32(D)), uma variação abrupta<br />
na condutância entre os pHs 6 e 5 seguida <strong>de</strong> uma pequena variação até pH=3é observada.<br />
A causa <strong>de</strong>sta, po<strong>de</strong> ser atribuída a sensibilida<strong>de</strong> dos dispositivos em função da <strong>de</strong>nsida<strong>de</strong><br />
<strong>de</strong>carganasuperfície dos nanocristais <strong>de</strong> Au, que são esperados apresentar em relação a<br />
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