Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

levar à corrosão e portanto formação de novos grupos SOH2 + na superfície de alumina,
proporcionando desta forma um aumento na condutância, assim como observado para pHs
mais ácidos.
É importante ainda ressaltar que por simplicidade as influências da adsorção
de contra-íons não foi considerada neste caso.
As mesmas observações são válidas também para o caso de transistores contendo as
nanoestruturas de Ag e Au. Nestas, todavia, considerações a respeito da diferença de
função de trabalho entre os metais e o semicondutor devem ser feitas. A quantidade
de cargas na superfície da porta dos transistores neste caso édadanão somente pela
alumina porosa, mas também pela superfície dos nanocristais metálicos. Nestes, embora
não determinado, mas espera-se como reportado na literatura 86 que a sua função trabalho
seja menor do que seus materiais em escala macro (bulk). Assim, como a função trabalho
é considerada ser menor, pequenas variações de carga e portanto de campo elétrico na
sua superfície, causam também uma variação entre o campo elétrico estabelecido entre
o metal e o semicondutor. Estas variações podem ocorrer por exemplo, devido a queda
de potencial dentro da dupla camada elétrica, presente na superfície das nanoestruturas
quando expostas a soluções com diferentes valores de pH 86 .
No caso dos transistores contendo nanocristais de Ag (Figura 3.32(C)), observa-se que
a detecção de diferentes pHs apresenta uma boa linearidade numa faixa de pH entre 3 e 9.
Para os transistores de 50 x 50 µm contendo Au (Figura 3.32(D)), uma variação abrupta
na condutância entre os pHs 6 e 5 seguida de uma pequena variação até pH=3é observada.
A causa desta, pode ser atribuída a sensibilidade dos dispositivos em função da densidade
decarganasuperfície dos nanocristais de Au, que são esperados apresentar em relação a
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