Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Esta diferença é explicada nos mesmos princípios de um transistor NMOS com eletrodo
de porta. Assim, quando soluções ácidas são colocadas em contato com a porta de ISFETs
tipo NMOS, o efeito de campo gerado pelos íons H + na superfície do dispositivo faz com
que um canal condutor se forme entre fonte e dreno, e logo, é a magnitude deste campo
que delimitará os valores de corrente no canal.
Adicionando-se solução tampão pH 10, o efeito contrário é observado, pois o efeito de
campo gerado na superfície da porta dos ISFETs pelos íons OH − , causa uma depleção
dos portadores de carga do tipo n no canal, e assim um menor valor de corrente pode ser
esperado.
É interessante ainda notar que nos ISFETs contendo Ag e Au, a corrente ID
começa a apresentar aumentos com valores abaixo de 1 V, enquanto nos ISFETs contendo
só alumina este aumento começa a ocorrer somente em torno de 2 V. Isto sugere que IS-
FETs contendo Ag e Au apresentam uma maior sensibilidade elétrica quanto a variações
de carga em sua superfície do que aqueles ISFETs produzidos somente com alumina. Esta
diferença pode ser atribuída a diferença de função trabalho entre o semicondutor e as na-
noestruturas metálicas sobre sua superfície. Maiores detalhes quanto a esta diferença estão
ainda sendo estudadas, porém estes resultados sugerem que a presença dos nanocristais
causa uma modificação na sensibilidade dos dispositivos.
Uma outra característica observada são os valores baixos de ID entre as soluções com
diferentes valores de pH. Esta entretanto, étambém aceitável, pois como visto através
das medidas elétricas nos transistores controle, as magnitudes de tensão limiar e transcon-
dutância somente atingem um patamar considerado significativo quando tensões elevadas
são aplicadas na porta. Ressalta-se portanto, que a sinterização dos dispositivos pode
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