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Figura 3.31: Curvas de ID xVDS com soluções tampão fosfato para os ISFETs com porta de 10 x 50 µm contendo a) somente alumina na porta, b) alumina com nanocristais de Ag e c) alumina e nanocristais de Au. 141
Esta diferença é explicada nos mesmos princípios de um transistor NMOS com eletrodo de porta. Assim, quando soluções ácidas são colocadas em contato com a porta de ISFETs tipo NMOS, o efeito de campo gerado pelos íons H + na superfície do dispositivo faz com que um canal condutor se forme entre fonte e dreno, e logo, é a magnitude deste campo que delimitará os valores de corrente no canal. Adicionando-se solução tampão pH 10, o efeito contrário é observado, pois o efeito de campo gerado na superfície da porta dos ISFETs pelos íons OH − , causa uma depleção dos portadores de carga do tipo n no canal, e assim um menor valor de corrente pode ser esperado. É interessante ainda notar que nos ISFETs contendo Ag e Au, a corrente ID começa a apresentar aumentos com valores abaixo de 1 V, enquanto nos ISFETs contendo só alumina este aumento começa a ocorrer somente em torno de 2 V. Isto sugere que IS- FETs contendo Ag e Au apresentam uma maior sensibilidade elétrica quanto a variações de carga em sua superfície do que aqueles ISFETs produzidos somente com alumina. Esta diferença pode ser atribuída a diferença de função trabalho entre o semicondutor e as nanoestruturas metálicas sobre sua superfície. Maiores detalhes quanto a esta diferença estão ainda sendo estudadas, porém estes resultados sugerem que a presença dos nanocristais causa uma modificação na sensibilidade dos dispositivos. Uma outra característica observada são os valores baixos de ID entre as soluções com diferentes valores de pH. Esta entretanto, étambém aceitável, pois como visto através das medidas elétricas nos transistores controle, as magnitudes de tensão limiar e transcon- dutância somente atingem um patamar considerado significativo quando tensões elevadas são aplicadas na porta. Ressalta-se portanto, que a sinterização dos dispositivos pode 142
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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DEDICO ESTA DISSERTAÇÃO aos meus
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Resumo Título : Desenvolvimento de
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3.2.1 A escolha da orientação cri
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1.1.1 Os microssensores História H
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sistores de efeito de campo, abriu
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dreno. A primeira aplicação para
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VA resultam numa variação do nív
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uma estrutura amorfa, e portanto, n
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Tipos de Dopagem Difusão Térmica
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