Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Assim sabendo-se que o valor da permitividade do vácuo (ε0) é 8,854 x 10 −14 F/cm, e
que a constante dielétrica do SiO2 é 3,9, sendo ainda tox sua espessura, determinou-se a
seguinte razão
Cox
A
= ε0εox
tox
=6, 2 x 10 −8 F.cm −2
(Eq.34)
Os resultados de todos estes parâmetros são apresentados na Tabela 3.6. Conforme os
resultados destes e também de observação dos respectivos gráficos, verifica-se que os tran-
sistores produzidos apresentam as características esperadas. No entanto, os valores de
VT e gm determinados estão ainda fora da faixa esperada, ou seja, enquanto os valores
de VT deveriam ser cerca de 10 vezes menores, os valores de gm deveriam ser cerca de
aproximadamente 10 vezes maiores. Esta diferença é no entanto aceitável, tendo em vista
que os respectivos dispositivos não foram ainda sinterizados. A sinterização destes tende
a diminuir a resistência de contato, melhorando assim as características observadas, além
ainda de ativar eletricamente alguns dopantes, tornando a superfície da porta mais sensível
ao efeito de campo.
Tabela 3.6: Características elétricas gerais dos transistores controle (MOSFETs).
NMOS(curto) NMOS(longo)
L(µm) 10 50
W(µm) 50 50
gm (µS) 8 0.09
VT (V) 7 10
Ioff (pA) 98 87
µn (cm 2 /V.s) 725 140
Os valores de mobilidade encontrados também refletiram o efeito da razão W/L, isto
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