Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Figura 3.29: Curva de ID xVGS com VDS de 1 V para o MOSFET tipo NMOS (NPN) de
L=10µm eW=50µm.
Figura 3.30: Curva de ID xVGS com VDS de 1 V para o MOSFET tipo NMOS (NPN) de
L=50µm eW=50µm.
se para tanto o log ID em função VGS. A mobilidade (µn) dos portadores no canal de
condução foi calculada utilizando-se a seguinte expressão:
µn = LAgm
WCoxVDS
(Eq.33)
sendo A a área da porta dos transistores e Cox a capacitância do óxido de porta (SiO2).
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