Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

(Gout) entre os terminais de fonte e dreno, enquanto o seu inverso propicia a resistência
de saída (Rout).
Os valores destes para as tensões de VGS = 14 e 20 V para os transistores controle com
porta de dimensões de 10 x 50 µm e50x50µm, respectivamente são mostrados na Tabela
3.5. Conforme esta, verifica-se como esperado que a resistência de saída Rout durante o
estrangulamento do canal apresenta-se bastante alta (baixo Gout), uma vez que durante
este efeito a corrente entre fonte e dreno atinge um estado de saturação e praticamente não
se altera. Na prática, um transistor é polarizado na região de saturação quando o mesmo
Tabela 3.5: Características elétricas de fonte e dreno durante o efeito pinch-off.
NMOS(curto) NMOS(longo)
L(µm) 10 50
W(µm) 50 50
VA (V) 500 170
λ’ 0.002 0.006
Gout(nS) 170 75
Rout(MΩ) 5.7 13
é utilizado como amplificador, por isso os valores de Gout, os quais para a aplicação de um
transistor como chave são considerados altos, nesta região não representam risco para o
funcionamento de um dispositivo.
A determinação da tensão de limiar (VT ) para os respectivos transistores foi realizada
a partir das curvas de ID xVGS mostradas nas Figuras 3.29 e 3.30.
Conforme indicado nestas, os valores de VT podem ser encontrados extrapolando-se a
região linear da curva. Os valores de gm (transcondutância) são determinados através da
inclinação destas. Lembrando ainda, que gm é representado pela razão ID/VGS com VDS
constante. A corrente de fuga (Ioff) foi também determinada através desta, graficando-
137