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V, indicando assim que durante a ruptura dos respectivos diodos apenas o efeito avalanche predomina. Na Figura 3.26 são mostradas as imagens de microscopia dos dispositivos fabricados e contendo em suas portas as nanoestruturas de Ag e Au. 3.2.5 Caracterização elétrica dos transistores controle Para a caracterização elétrica dos transistores controle, medidas de ID (corrente no dreno) versus VDS com diferentes valores de tensão (VGS) aplicados no eletrodo de porta foram realizadas. Os resultados destas assim como das curvas de ID versus VGS para os dois tipos de transistores (10 x 50 µm e50x50µm) são apresentados nas Figuras a seguir. A partir das curvas de ID xVDS, verifica-se que, quando os valores de VDS para a Figura 3.27 variam entre 0 e 0,5 V, e entre 0 e 1,5 V para a Figura 3.28, para valores de VGS entre 10 e 14 V (Figura 3.27) e 14 e 20 V (Figura 3.28), a relação ID -VDS apresenta-se linear, mostrando portanto, um comportamento ôhmico. Esta região é conhecida também como região de triodo, pois VDS < VGS -VT . Esta relação linear entre ID eVDS ocorre nesta região, pois nesse momento o canal de condução na porta écontínuo. A partir de 0,5 V (Figura 3.27) e 1,5 V (Figura 3.28)(nestes VDS =VGS xVT ), o transistor começa operar na região de saturação, isto é, a medida que aumenta-se o valor de VDS, o canal na porta torna-se mais estreito e consecutivamente sua resistência aumenta, ou seja VDS >> VGS -VT . Como resultado a curva ID -VDS sofre o respectivo curvamento. O aumento excessivo de VDS pode levar o canal de condução do transistor a sofrer o efeito de estrangulamento (pinch-off), ou seja, o canal se move discretamente da fonte para o dreno e o valor de VDS não afeta mais o canal. Um parâmetro para quantificar 135
Figura 3.27: Curvas de ID xVDS com diferentes valores de VGS de um MOSFET tipo NMOS (NPN) de L = 10 µm eW=50µm. Figura 3.28: Curvas de ID xVDS com diferentes valores de VGS de um MOSFET tipo NMOS (NPN) de L = 50 µm eW=50µm. esta modulação do comprimento do canal éatensão de Early (VA), a qual pode ser obtida extrapolando-se a região linear das curvas ID xVDS ao longo do eixo negativo de VDS, onde neste então todas as curvas tenderão a convergir em um mesmo ponto, indicando assim o valor de VA. Este étambém representado pelo coeficiente de modulação do canal (λ’), o qual éobtidopeloinversodeVA, estando seus valores normalmente entre 0.1 e 0.005 V. As inclinações das curvas de extrapolação fornecem o valor da condutância de saída 136
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Universidade Estadual de Campinas I
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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DEDICO ESTA DISSERTAÇÃO aos meus
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2003-2004 Universidade Regional de
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Resumo Título : Desenvolvimento de
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Sumário 1 INTRODUÇÃO 1 1.1 A Min
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3.2.1 A escolha da orientação cri
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1.1.1 Os microssensores História H
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dreno. A primeira aplicação para
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1.3 Propriedades Elétricas: A Fun
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curvarão ainda mais para baixo, de
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2.2.1 Oxidação Aoxidação térmi
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Tipos de Dopagem Difusão Térmica
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Etapa II Esta etapa consiste no uso
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tribuição do polímero fotosensí
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Page 183 and 184: [31] A. Huczko, Template-based synt
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