Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

V, indicando assim que durante a ruptura dos respectivos diodos apenas o efeito avalanche
predomina. Na Figura 3.26 são mostradas as imagens de microscopia dos dispositivos
fabricados e contendo em suas portas as nanoestruturas de Ag e Au.
3.2.5 Caracterização elétrica dos transistores controle
Para a caracterização elétrica dos transistores controle, medidas de ID (corrente no
dreno) versus VDS com diferentes valores de tensão (VGS) aplicados no eletrodo de porta
foram realizadas. Os resultados destas assim como das curvas de ID versus VGS para os
dois tipos de transistores (10 x 50 µm e50x50µm) são apresentados nas Figuras a seguir.
A partir das curvas de ID xVDS, verifica-se que, quando os valores de VDS para a
Figura 3.27 variam entre 0 e 0,5 V, e entre 0 e 1,5 V para a Figura 3.28, para valores de
VGS entre 10 e 14 V (Figura 3.27) e 14 e 20 V (Figura 3.28), a relação ID -VDS apresenta-se
linear, mostrando portanto, um comportamento ôhmico. Esta região é conhecida também
como região de triodo, pois VDS < VGS -VT . Esta relação linear entre ID eVDS ocorre
nesta região, pois nesse momento o canal de condução na porta écontínuo.
A partir de 0,5 V (Figura 3.27) e 1,5 V (Figura 3.28)(nestes VDS =VGS xVT ),
o transistor começa operar na região de saturação, isto é, a medida que aumenta-se o
valor de VDS, o canal na porta torna-se mais estreito e consecutivamente sua resistência
aumenta, ou seja VDS >> VGS -VT . Como resultado a curva ID -VDS sofre o respectivo
curvamento. O aumento excessivo de VDS pode levar o canal de condução do transistor a
sofrer o efeito de estrangulamento (pinch-off), ou seja, o canal se move discretamente da
fonte para o dreno e o valor de VDS não afeta mais o canal. Um parâmetro para quantificar
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