Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

de transistores. Nas Figuras 3.26 (e) e 3.26 (f), a legenda indica o terminal (fonte ou dreno)
medido e as dimensões da porta do(s) respectivo(s) transistor(es) avaliado(s). Em todos
os casos, quando os diodos, neste caso fonte e dreno dos transistores, são polarizados
diretamente, isto é, aplicando-se tensão negativa no terminal n e positiva no corpo do
dispositivo, um aumento de corrente mais pronunciado é observado em uma faixa de
tensão entre 0.2 e 1 V. A corrente total (ID) nestesdiodosé descrita pela Equação 32:
lnID = lnI0 + qVD
ηκT
(Eq.32)
onde ln I0 é a corrente reversa do diodo, VD éatensão de polarização e o termo η representa
o fator de idealidade do diodo, o qual varia entre 1 e 2 dependendo da natureza da corrente,
os demais termos da equação possuem seu significado usual. Assim, para valores de η
iguais ou próximos da unidade, há umapredominância da corrente de difusão (portadores
majoritários da região tipo N difundem-se para a região tipo P), enquanto para valores de
η = 2 a corrente predominante é a corrente de deriva (portadores minoritários (lacunas) da
região tipo N se deslocam para a região tipo P e elétrons livres, portadores minoritários
nesta se deslocam para a região tipo N). Quando ambas correntes são comparáveis, o
valor de η deve estar entre 1 e 2. O valor deste para cada diodo foi encontrado a partir da
inclinação da curva de log ID vs VD, comη apresentando valores entre 1.4 e 2.4, sugerindo
assim, que ambas correntes, difusão e deriva, predominam durante a polarização destes.
Estes valores estão de acordo com os valores esperados conforme simulação prévia,
corroborando assim o funcionamento das regiões de fonte e dreno dos dispositivos. No
sentidodecorrentereversa,observa-seaindaqueastensões de ruptura são maiores que 7
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