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Figura 3.26: (a) Conjunto de transistores de dimensões de 10 x 50 µm (L e W, respectivamente) contendo nanocristais de Au em sua porta. (b) Imagem de alumina não contendo Ag ou Au, crescida sobre a porta (50 x 50 µm ) de transistores. (c) Imagem de alumina crescida sobre a porta de transistores de 50 x 50 µm e contendo nanoestruturas de Ag. (d) Transistor com porta de dimensões 50 x 50 µm, L e W respectivamente. (e) Curvas I-V das regiões de fonte e dreno do conjunto de transistores de 10 x 50 µm e50x50µm. (f) Curvas I-V das regiões de fonte e dreno de transistores de isolados. 133
de transistores. Nas Figuras 3.26 (e) e 3.26 (f), a legenda indica o terminal (fonte ou dreno) medido e as dimensões da porta do(s) respectivo(s) transistor(es) avaliado(s). Em todos os casos, quando os diodos, neste caso fonte e dreno dos transistores, são polarizados diretamente, isto é, aplicando-se tensão negativa no terminal n e positiva no corpo do dispositivo, um aumento de corrente mais pronunciado é observado em uma faixa de tensão entre 0.2 e 1 V. A corrente total (ID) nestesdiodosé descrita pela Equação 32: lnID = lnI0 + qVD ηκT (Eq.32) onde ln I0 é a corrente reversa do diodo, VD éatensão de polarização e o termo η representa o fator de idealidade do diodo, o qual varia entre 1 e 2 dependendo da natureza da corrente, os demais termos da equação possuem seu significado usual. Assim, para valores de η iguais ou próximos da unidade, há umapredominância da corrente de difusão (portadores majoritários da região tipo N difundem-se para a região tipo P), enquanto para valores de η = 2 a corrente predominante é a corrente de deriva (portadores minoritários (lacunas) da região tipo N se deslocam para a região tipo P e elétrons livres, portadores minoritários nesta se deslocam para a região tipo N). Quando ambas correntes são comparáveis, o valor de η deve estar entre 1 e 2. O valor deste para cada diodo foi encontrado a partir da inclinação da curva de log ID vs VD, comη apresentando valores entre 1.4 e 2.4, sugerindo assim, que ambas correntes, difusão e deriva, predominam durante a polarização destes. Estes valores estão de acordo com os valores esperados conforme simulação prévia, corroborando assim o funcionamento das regiões de fonte e dreno dos dispositivos. No sentidodecorrentereversa,observa-seaindaqueastensões de ruptura são maiores que 7 134
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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DEDICO ESTA DISSERTAÇÃO aos meus
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Resumo Título : Desenvolvimento de
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